研究シーズ

• 電源・インターフェース集積回路設計技術

• パッケージ基板および基板内蔵部品技術

• アクセラレータ設計技術

• バルク結晶基板成長・評価技術

• 結晶成長シミュレーション技術

• めっき・金属接合技術

注力していく研究開発

信州大学では半導体電源・インターフェース集積回路設計、バルク結晶基板成長・評価技術など、独自性の高い半導体技術に強みがあります。チップレット時代に向けて、基板面方位規定、新たな結晶・欠陥評価技術、パッケージ内蔵電源・インターフェース集積回路設計、マルチフィジックスCAE解析・シミュレーション技術の研究に力を入れて参ります。