盤面直徑:Φ 380 mm

最大工件直徑: Φ 141 mm

工作環內徑: Φ 140 mm

工作環數量:3 Pcs

盤面轉速:0~60 RPM

溫度範圍:室溫~700℃

真空範圍:常壓~5x10-6torr

基板尺寸:10x10mm

雷射波長:KrF 248nm

氣體氛圍:氧氣、氮氣

溫度範圍:室溫~500℃

八段PID溫控

內部大小:450x400x400mm

溫度範圍 : 常溫~1200℃

升溫速度 : 15min/℃

試片大小 : 2”

氣體氛圍 : 氧氣、真空、大氣

溫度範圍:室溫~800℃

工作壓力:1x10-3torr

靶材尺寸:3”

基板尺寸:2”

功率:RF 600W、DC 1000W

可控制脈衝頻率、脈衝工作週期，以獲得高密度電漿，進而沉積緻密的薄膜。

可進行金屬薄膜、金屬玻璃薄膜、合金薄膜、氮化物薄膜、氧化物薄膜、碳化物薄膜與、碳氮化物薄膜與氮氧化物薄膜之研究。

數控運動平臺：250×180

高頻電源：1000W

標準射流槍：APJ-1000P

小型射流槍：APJ-200P

質量流量計：D07-7B、D07-9E

渦流風機： HG-250

附件：反應進氣嘴×3

A.進氣Shower: 將通入的製程氣體平均散佈於腔體內。

B.加熱鉭燈絲4條: 分解製程氣體。

C.平板電漿網格板2片: 產生電漿，並增加製程氣體解離率。

其它功能:

載盤加熱可升溫至1000度。

全載座可自轉，並能徧轉角度10度。

共三支六吋靶槍: 脈衝直流電源x2、射頻電源x1

具有Load-Lock 腔體，可快速進行鍍膜。

具有直流脈衝電源與離子槍，可增強電漿離子化程度與薄膜品質。

可進行金屬薄膜、金屬玻璃薄膜、合金薄膜、氮化物薄膜、氧化物薄膜、碳化物薄膜與、碳氮化物薄膜與氮氧化物薄膜之研究。

使用四支5 *12吋矩型水冷磁控濺鍍靶槍，並由兩台脈衝直流電源(5000W)與兩台射頻電源(2000W)提供靶槍電源。

具有密封盤狀4吋真空加熱器，試片可間接加熱至450oC。採自動夾持加熱。

具有VAT PM5 自動壓力控制器與自動壓力節流閥系統。

試片可施以直流電源偏壓。

採三維立式自轉支柱設計，具有試片承接基座旋轉機制，包括Φ500 mm公轉盤(公轉速率：5~30 rpm)  及四組Φ150mm自轉載台(自轉速率: 20~40 rpm)。

濺鍍試片置於四靶槍中間之載台上，可同時控制公、自轉速率，能在三維形貌元件上鍍製各種薄膜。

基板最大尺寸 : 250*250 (mm)。

腔體溫度：500 ℃。

用以沉積矽基與氧化物與氮化物薄膜。可提供a-Si、μC-Si、P-doped a-Si、N-doped a-Si、SiO2及Si3N4等薄膜沈積。

使用的氣體：Ar、O2、N2、CF4、SiH4、H2、PH3、B2H6tim

利用電子束使蒸鍍材料蒸發，讓材料蒸鍍到基材表面。

利用離子源可使膜層壓緊,得到附著力良好的膜層。

1.目前所提供的氣體有O2、N2、Ar，較適合蝕刻二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si4N3)與多晶矽(Poly-Si)。

2.RIE機台不能蝕刻金屬或含金屬的材料，故只能利用光阻或非金屬薄膜當保護層。

3.若不確定自己的試片材料能否進行蝕刻時，請先向機台負責人詢問作確認，以免造成腔體的污染。

腔體容積: ϕ 900 mm * 1000 mm H

電漿源: ARC * 4 sets + Sputter * 2 sets

極限真空: 5*10-8 torr (1 hour)

加熱器: 8 kW * 4 sets