Program
2020年7月3日 (金)
開場 9 : 45～
10 : 00 ～ 10 : 15
開会
中山雄太（神戸大）
10 : 15 ～ 12 : 15
招待講演
座長: 福澤 亮太（東大）
10:15 – 10:55 半導体ナノワイヤ：成長とデバイス応用
本久 順一（北海道大学）
10:55 – 11:35 量子ドット超格子を利用した高効率太陽電池
原田 幸宏（神戸大学）
11:35– 12:15 走査プローブ顕微鏡の基礎と応用
高橋 琢二（東京大学 生産技術研究所）
昼休憩 12 : 15 ～ 13 : 30
13 : 30 ～ 16 : 00
オーラルセッション(小休憩含む)
第一部 (13:30 – 14:30)
座長 蒲生 浩憲（北大）
13:30 – 13:45 (O-1) 層状酸化物Ba1/3CoO2エピタキシャル薄膜の作製と熱電特性
高嶋 佑伍 (北大院情報)
13:45 – 14:00 (O-2) 光熱モードAFMによる非発光再結合特性評価を通じたCu(In,Ga)(S,Se)2に対するCs処理効果の検討
山田 綾果 (東京大学)
14:00 – 14:15 (O-3) Co2FeAl0.5Si0.5/n-Geヘテロ構造における原子拡散を用いたスピンホール角の人工的増大
髙田 真悟 (東京大学)
14:15 – 14:30 (O-4) 大気中分子-ZnOナノワイヤ/Pt界面間相互作用の解明に基づくデバイス特性の高信頼化
中村 健太郎 (九州大学)
第二部 (15:00 – 16:00)
座長 中村 健太郎 (九州大）
15:00 – 15:15 (O-5) YOxHyエピタキシャル薄膜における光誘起絶縁体-金属転移
小松 遊矢 (東京工業大学)
15:15 – 15:30 (O-6) Si上のInAsナノワイヤ縦型サラウンディングゲートトランジスタの高性能化の検討
蒲生 造憲 (北海道大学)
15:30 – 15:45 (O-7) 反強誘電体ZrO2を有するMIS構造のユニポーラスイッチング特性
多川 友作 (東京大学)
15:45 – 16:00 (O-8) 二重バイアス変調静電引力顕微鏡における可変周波数静電容量測定
福澤 亮太 (東京大学)
16 : 00 ～ 18 : 30
ポスターセッション
16:00 – 16:15 ポスターセッションの案内
中山 雄太（神戸大）
16:30 – 18:30 ポスターセッション
(P-1) トマトの現地成熟度評価のための超音波測定手法
柴田 啓佑 (旭川高専)
(P-2) MARX-Ramanは実在するか
朝倉 清高 (北海道大学)
(P-3) Nd:YAGレーザーを用いたPLD法により作製したNb:SrTiO₃薄膜のX線回折
大久保 大誠 (旭川高専)
(P-4) 強磁性/非磁性半導体二層構造におけるゲート変調可能な近接磁気抵抗効果
瀧口 耕介 (東京大学)
(P-5) SrTiO₃界面における高移動度二次元正孔ガスの実現
髙田 真悟 (東京大学)
(P-6) Yb添加YAG+YAM薄膜のanti-Stokes PL過程
中山 雄太 (神戸大学)