Publications

2025

論文

Post-growth annealing for enhanced optical performance in dilute nitride III–V semiconductor nanowires

Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Ryoga Iida, Takuto Goto, Mahiro Sano, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa

Journal of Applied Physics 138, 235101, 2025.

Photovoltaic effects of the GaAs (110) substrate and GaAs/AlGaAs core–shell nanowires

Noriyuki Urakami, Rin Funase, Yuri Suzuki, Keisuke Minehisa, Yoshio Hashimoto, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Letters 127, 122104, 2025.

Sb-segregated GaInNAs/GaAs(Sb) triple quantum well core–multishell nanowires grown by molecular beam epitaxy

Takuto Goto, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Express 18, 095501, 2025.

Influence of bias voltage on the performance of polarization-sensitive near-infrared photodiode based on dilute nitride GaNAs

Daiki Mineyama, Tatsuya Yano, Kohei Etou, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Junichi Takayama, Agus Subagyo, Kazuhisa Sueoka, Fumitaro Ishikawa, Akihiro Murayama, Satoshi Hiura

Applied Physics Letters 126, 223507, 2025.

Wafer-scale correlated morphology and optoelectronic properties in GaAs/AlGaAs core–shell nanowires

Ishika Das, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa, Patrick Parkinson, Stephen Church

APL Materials, 13, 061116, 2025.

Early-stage nucleation and growth of self-catalyzed GaAs nanowires on Si(111) with interfacial strain near pinholes

Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa

Japanese Journal of Applied Physics, 64, 065501, 2025.

Passivation of localized states in GaAs/GaNAs core/Shell nanowires by post-growth hydrogenation

Mattias Jansson, Valentyna V. Nosenko, Carl Hemmingsson, Galia Pozina, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

Journal of Applied Physics, 137, 205703, 2025.

High-Throughput Single-Nanowire Optoelectronic Characterization Using Microfluidic Technology

Tharaka MDS Weeraddana, Keisuke Minehisa, Stephen A. Church, Charles Smith, Fumitaro Ishikawa, Patrick Parkinson

Advanced Photonics Research, 6, 2500050, 2025.

Dynamics of Strongly Localized Excitons in GaAs/GaAsBi Core/Shell Nanowires

Mattias Jansson, Satoshi Hiura, Junichi Takayama, Akihiro Murayama, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

The Journal of Physical Chemistry C, 129, 4456, 2025.

Anti-reflective and luminescent GaAs/AlGaAs core–shell nanowires on Si wafer with 1 ns carrier lifetime up to 400 K

Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Hiroto Kise, Shino Sato, Junichi Takayama, Satoshi Hiura, Akihiro Murayama, Fumitaro Ishikawa

Journal of Applied Physics, 137, 034301, 2025.

Rolled-up membranes from GaAs/AlOx core-shell nanowire ensembles through natural oxidation

Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Kaito Nakama, Kentaro Watanabe, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa

Advanced Optical Materials, 13, 2401933, 2025.

書籍

Edit

Engineering Crystal Habit: Applications of Polymorphism and Microstexture Learning from Nature

Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Jun Kawano, Tetsuya Tohei

ISBN: 978-981-96-0265-0, Topics in Applied Physics (TAP, volume 152), February 2025, Springer. DOI: 10.1007/978-981-96-0266-7

Chaprter

Preface in Front Matter

Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Jun Kawano, Tetsuya Tohei

Fromt Matter in Engineering Crystal Habit: Applications of Polymorphism and Microstexture Learning from Nature, edited by Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Jun Kawano, Tetsuya Tohei, pp. iX-X, Topics in Applied Physics (TAP, volume 152), February 2025, Springer.

Microtexture and Polymorphism Observed During the Molecular Beam Epitaxial Growth of Group III–V Semiconductor Nanostructures

Fumitaro Ishikawa, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Robert D. Richards, Irina A. Buyanova

Chapter 7 in Engineering Crystal Habit: Applications of Polymorphism and Microstexture Learning from Nature, edited by Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Jun Kawano, Tetsuya Tohei, pp. 109-141, Topics in Applied Physics (TAP, volume 152), February 2025, Springer. DOI: 10.1007/978-981-96-0266-7_7

受賞

講演奨励賞

峰久恵輔（博士2年), 第59回（2025年秋季）応用物理学会講演奨励賞

発表奨励賞

佐野真浩（修士1年), 第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会

招待講演

[PL-1] Molecular beam epitaxial growth of GaAs related compound semiconductor nanowires for their application to functional photonic devices

Fumitaro Ishikawa

Joint Conference of the 27th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium and the 6th International Conference on Nano Electronics Research and Education, 2025年10月21-23日.

[H02-1684] Dilute Nitrides, Bismides, and Oxidized Compound Semiconductor Nanowires Molecular Beam Epitaxially Grown on Silicon Wafers

Fumitaro Ishikawa

248th ECS Meeting, Hilton Chicago, Chicago, USA, 2025年10月12-16日.

[7a-N206-1] [分科内招待講演] シリコンウエハ上の多元混晶化合物半導体ナノワイヤ分子線エピタキシャル成長と機能開拓

石川史太郎
第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日.

Molecular-Beam Epitaxy of Multinary III–V Semiconductor Nanowires on Si Wafer Toward Unexplored Functionalities

Fumitaro Ishikawa

The 21st International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-21), Xi'an Qujiang International Conference Center, Xi'an, China, 2025年8月3-8日.

国際会議

(20P-1-31) Wafer-scale growth of vertical GaAs nanowires via droplet etching toward a 100% yield on SiOx/Si(111)

Keisuke Minehisa, Mahiro Sano, Sota Wajima, Takuto Goto, Kaito Nakama, Fumitaro Ishikawa

38th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2025) , Tokyo, 2025年11月17-20日

(20P-1-33) Over visible-range polarized emission from AlGaOx nanowires investigated by angle and cathodoluminescence

showing standing wave

Hidetoshi Hashimoto, Takumi Sannomiya, Fumitaro Ishikawa

38th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2025) , Tokyo, 2025年11月17-20日

(20P-1-40) Molecular Beam Epitaxial Growth of Quintuple Quantum-Well GaAs/GaInNAs Core-Multishell Nanowires on Patterned

Substrate

Kaito Nakama, Keisuke Minehisa, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa

38th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2025) , Tokyo, 2025年11月17-20日

Control over morphology and anti-reflective properties of GaAs nanowires on 2-inch Si(111) wafers by droplet etching

K. Minehisa, M. Sano, S. Wajima, T. Goto, K. Nakama, F. Ishikawa

Nanowire Week 2025, St John’s College, University of Cambridge, Cambridge, UK, 25–29 August 2025.

Creation of single-photon emitters in III-V dilute nitride nanowires via post-growth H-ion irradiation

A. Sagar Sharma, P. De Vincenzi, N. Denis, F. Santangeli, S. Cianci, M. Yukimune, A. Polimeni, F. Ishikawa, M. De Luca

Nanowire Week 2025, St John’s College, University of Cambridge, Cambridge, UK, 25–29 August 2025.

Wafer-scale correlation of structure and carrier dynamics in GaAs/AlGaAs core–shell nanowires

Ishika Das, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa, Patrick Parkinson, Stephen Church

Nanowire Week 2025, St John’s College, University of Cambridge, Cambridge, UK, 25–29 August 2025.

High-throughput single-nanowire optoelectronic characterization using microfluidic technology

Tharaka MDS Weeraddana, Keisuke Minehisa, Stephen A. Church, Charles Smith, Fumitaro Ishikawa, Patrick Parkinson

Nanowire Week 2025, St John’s College, University of Cambridge, Cambridge, UK, 25–29 August 2025.

(Poster) Nitrogen-induced strain in highly mismatched III-V heterostructured nanowires: a Raman spectroscopy investigation

Riccardo Pallucchi, Akant Sagar Sharma, Nadine Denis, Paolo De Vincenzi, Francesca Santangeli, Ilaria Zardo, Fumitaro Ishikawa, Riccardo Rurali, Marta De Luca

Nanowire Week 2025, St John’s College, University of Cambridge, Cambridge, UK, 25–29 August 2025.

(P41) Molecular Beam Epitaxial Growth of AlGaAs on Sapphire (0001) at Different Film Thicknesses

Sota Wajima, Hidetoshi Hashimoto, Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2025, Banff Centre, Canada, 2025年5月27-30日.

(P37) Characteristics of Nitrogen δ-doped GaAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

Mahiro Sano, Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2025, Banff Centre, Canada, 2025年5月27-30日.

(P30) Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaInNAs core-multishell Nanowires varying GaAs Core Diameters

Kaito Nakama, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2025, Banff Centre, Canada, 2025年5月27-30日.

(P10) Polarized Visible-Range Emission from AlGaOx Nanowires Observed via Cathodoluminescence

Hidetoshi Hashimoto, Takumi Sannomiya, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2025, Banff Centre, Canada, 2025年5月27-30日.

(D3) Sb Segregation Observed in GaAs/GaInNAsSb Core-Multishell Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy

Takuto Goto, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2025, Banff Centre, Canada, 2025年5月27-30日.

国内会議

[B-10] GaNAs シェル膜厚による GaAs/GaNAs コア-シェルナノワイヤ光学特性制御

塩見悠介, 佐野真浩, 峰久恵輔, 山下雄大, 谷保芳孝, 平間一行, 熊倉一英, 石川史太郎

第61回応用物理学会北海道支部/第22回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北海道大学工学部 2025年 11月1-2 日

[Th1-5] Molecular Beam Epitaxial Growth of Nitrogen delta-doped GaAs Nanowires and Dependence of its Characteristics on Amounts of delta-doped Nitrogen

窒素デルタドープGaAsナノワイヤーの分子線エピタキシャル成長とその特性のデルタドープ窒素量依存性

M. Sano, K. Minehisa, H. Hashimoto and F. Ishikawa

第44回電子材料シンポジウム（EMS-45), グランドメルキュール奈良橿原(奈良県橿原市） 2025年10月15-17日

[Th1-3] Growth and surface roughness evaluation of AlGaAs/GaAs with AlAs sacrificial layer for epitaxial lift-off membranes エピタキシャルリフトオフ膜用のAlAs犠牲層を有する AlGaAs/GaAsの成長および表面粗さ評

価

S. Fuchikami, H. Hashimoto, S. Wajima, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, F. Ishikawa

第44回電子材料シンポジウム（EMS-45), グランドメルキュール奈良橿原(奈良県橿原市） 2025年10月15-17日

[9p-N403-16] c面サファイア基板上 AlGaAs分子線エピタキシャル成長層の結晶構造評価

和島颯汰, 橋本英李, 佐藤大樹, 小泉淳, 西谷智博, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[7a-N206-2] カソードルミネッセンスにより観測された白色発光を示す AlGaOx ナノワイヤの偏光依存性

橋本英季, 三宮工, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[7p-P03-3] 希薄窒化物半導体を用いたスピンフォトダイオードの円偏光受光特性

大見健琉, 峯山大輝, 田中壱, 中間海音, 橋本英季, 峰久恵輔, 高山純一, 石川史太郎, 村山明宏, 樋浦諭志

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[7a-P04-8] 低温成長GaAs1-xBixの成長モデルに対して異なる成長条件が与える影響

阿部史弥, 荒川竜芳, 富永依里子, 峰久恵輔, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[7a-P04-9] 低温成長InyGa1-yAs1-xBixの熱処理による表面ドロップレットの形成

有吉亨介, 荒川竜芳, 富永依里子, 峰久恵輔, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[9a-N305-3] 低温成長した希薄窒化InGaAsN/GaAs量子井戸の円偏光発光特性

多川英汰, 峰久恵輔, 森田彩乃, 木瀬寛都, 高山純一, 石川史太郎, 村山明宏, 樋浦諭志

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[9a-N305-5] 窒素導入量を変化させた窒素δドープGaAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価

佐野真浩, 峰久恵輔, 橋本英季, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[10a-N402-5] ２インチSiOx/Si(111)ウエハ上垂直GaAsナノワイヤの100%収率に向けたドロップレットエッチングの活用

峰久恵輔, 佐野真浩, 和島颯汰, 後藤拓翔, 中間海音, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[10a-N402-6] Si(111)基板上Ga自己触媒GaAsナノワイヤ初期核生成期のピンホール近傍界面歪状態

中間海音, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[10a-N402-7] 2インチシリコン基板上GaAs/GaNAs/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤにおける光学特性の量子井戸数依存性

杉原貫太郎, 峰久恵輔, 佐野真浩, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[10a-N402-8] GaAs/GaInNAsSb コア-マルチシェルナノワイヤにおける Sb サーファクタント効果が与えるN組成の変化

後藤拓翔, 中間海音, 橋本英李, 峰久恵輔, 石川史太郎

第86回応用物理学会秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス 2025年9月7-10日

[Th-P12] カソードルミネッセンス測定によるAlGaOx ナノワイヤの偏光特性

橋本英季, 三宮工, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Th-P13] Sb 偏析を示したGaAs/GaInNAsSb コア-マルチシェルナノワイヤの構造・光学特性評価

後藤拓翔, 中間海音, 橋本英李, 峰久恵輔, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Th-P14] 窒素デルタドープGaAs ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長による発光波長制御

佐野真浩, 峰久恵輔, 橋本英季, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Th-P16] サファイアc 面上AlGaAs 薄膜の分子線エピタキシャル成長とその表面形態および結晶構造の評価

和島颯汰, 橋本英李, 佐藤大樹, 西谷智博, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Fr-P11] GaAs コア径の異なるGaAs/GaInNAs コア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長と発光特性評価

中間海音, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Fr-P12] GaAs/GaNAs コア－シェルナノワイヤ光吸収特性のGaNAs シェル膜厚依存性

塩見悠介, 佐野真浩, 峰久恵輔, 山下雄大, 谷保芳孝, 平間一行, 熊倉一英, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Fr-P13] 積層周期と空間配位を変化させたGaAs/GaNAs コア-マルチシェルナノワイヤのフォトルミネッセンス特性

飯田竜雅, 中間海音, 橋本英季, 峰久恵輔, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[Fr-P14] ドロップレットエッチングを用いた2 インチSi(111)基板上垂直GaAs ナノワイヤの数密度制御

峰久恵輔, 佐野真浩, 和島颯汰, 後藤拓翔, 中間海音, 石川史太郎

第17回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 北海道利尻富士町・総合交流促進施設りぷら大ホール 2025年7月17-19日

[16a-K310-3] GaAs/GaInNAsSbコア-マルチシェルナノワイヤにおけるSb偏析
後藤拓翔, 中間海音, 橋本英李, 峰久恵輔, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, 石川史太郎

第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス 2024年3月14-17日

[16a-K310-4] 分子線エピタキシーによる窒素δドープGaAsナノワイヤ成長と特性

佐野真浩, 峰久恵輔, 橋本英季, 石川史太郎
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス 2024年3月14-17日

[16p-K310-3] サファイア (0001) 基板上における AlGaAs の分子線エピタキシャル成長と特性の成長膜厚依存性

和島颯汰, 橋本英李, 佐藤大樹, 西谷智博, 石川史太郎
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス 2024年3月14-17日

[16p-P07-7] MBE法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ初期成長段階結晶構造

中間海音, 石川史太郎
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス 2024年3月14-17日

[16p-K302-1] [第57回講演奨励賞受賞記念講演] 希薄窒化物半導体を用いた偏光変調検出フォトダイオードの動作特性

峯山大輝, 矢野龍弥, 江藤亘平, 中間海音, 橋本英季, 峰久恵輔, 高山純一, スバギョアグス, 末岡和久, 石川史太郎, 村山明宏, 樋浦諭志
第72回応用物理学会春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス 2024年3月14-17日

2024

論文

Homogeneous Large-Scale Synthesis of GaAs/GaInNAs/GaAs Nanowires on a Si Wafer for Devices Operating in the Near-Infrared Region

Keisuke Minehisa, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Fumitaro Ishikawa

ACS Applied Nano Materials, 7, 21852-21859, 2024.

Exploring novel compound semiconductor nanowires

Fumitaro Ishikawa

JSAP Review 2024, 240403-1-6, 2024.

High-Performance Multiwavelength GaNAs Single Nanowire Lasers

Mattias Jansson, Valentyna V. Nosenko, Yuto Torigoe, Kaito Nakama, Mitsuki Yukimune, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

ACS Nano 18, 1477, 2024.

化合物半導体ナノワイヤの新材料開拓

石川史太郎

応用物理 93 巻1 号, pp 24-28 (2024).

出版物

革新的ナノ材料(1) ～ナノエレクトロニクス材料～ 4.6章

Yano E plus, 2024年6月号 No. 195, pp 28-33 (2024).

招待講演

Advancing Si-Integrated GaAs Nanowires: Dilute Nitrides and Bismides, Oxidation, and Wafer-Scale Growth

Fumitaro Ishikawa

Academic Lecture at National Central University, arranged by Prof. Jen-Inn Chyi and Prof. Charles W. Tu, Taoyuan, Taiwan, 2024年12月16日

(H03-2457) GaAs Related Nanowires on Si for Large Area and Functional Electron-Photon Conversion

Fumitaro Ishikawa

PRiME 2024, Hawaii Convention Center, Honoloulu, HI USA, 2024年10月6-11日

[18p-B2-10] [JSAP-Optica Joint Symposia Invited Talk] Low-temperature-grown dilute bismide III-V compound semiconductors towards fabrication of photoconductive antenna for terahertz-wave emission and detection

Yoriko Tominaga, Fumitaro Ishikawa, Noriaki Ikenaga, Osamu Ueda
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

[17p-C42-7] 新規機能発現に向けた低温成長Bi系III-V族半導体混晶

富永依里子、石川史太郎、池永訓昭、上田修
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

[17p-C42-4] マルチスケールなIII/V族ナノ構造の創成

石川史太郎
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

(H-2-01) Photonic III-V semiconductor nanowires on Si toward wafer scale functionalization

Fumitaro Ishikawa

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024), Himeji, 2024年9月2日

III-V Nanowires on Si for wafer scale photoelectric conversion

Fumitaro Ishikawa

Korea University (MSE) & Hokkaido University Joint Workshop, Sapporo, 2024年7月22日り

国際会議

(15D-3-3) Investigation of the initial stage of GaAs nanowire nucleation on Si(111) substrate on the growth of

self-catalyzed molecular beam epitaxy

Kaito Nakama, Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Fumitaro Ishikawa

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) , Kyoto, 2024年11月12-15日

(14D-2-3) Near Infrared Emission with the Wavelength Longer than 1.4 μm from GaAs/GaInNAsSb Core-

Multishell Nanowires

Takuto Goto, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) , Kyoto, 2024年11月12-15日

(14P-1-39) Improved Optical Characteristics GaAs-Based Dilute Nitride Nanowires by Varying Annealing

Temperatures

Hidetoshi Hashimoto, Ryoga Iida, Takuto Goto, Keisuke Minehisa, Kaito Nakama and Fumitaro Ishikawa

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) , Kyoto, 2024年11月12-15日

(14P-1-34) Fabrication of a near-infrared spin photodiode using dilute nitride GaNAs

Tatsuya Yano, Daiki Mineyama, Kohei Etou, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Mineto

Ogawa, Junichi Takayama, Fumitaro Ishikawa, Tetsuya Uemura, Akihiro Murayama, Satoshi Hiura

37th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2024) , Kyoto, 2024年11月12-15日

(TH-PS-31) Effect of Molecular Beam Epitaxial Growth Temperature on Wafer Scale Number Density and Vertical Yield of GaAs Nanowires on 2-inch Si

Keisuke Minehisa, Takuto Goto, Fumitaro Ishikawa

International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 2024, Matsue, 2024年9月8-13日

(TH-PS-33) Effect of mask opening sizes on the nucleation of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si(111)

substrates

Kaito Nakama, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa

International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 2024, Matsue, 2024年9月8-13日

(TH-PS-35) Photoluminescence characteristics of GaAs-based dilute nitride nanowires annealed at various temperatures

Hidetoshi Hashimoto, Ryoga Iida, Takuto Goto, Kaito Nakama, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa

International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 2024, Matsue, 2024年9月8-13日

(TU-B1-03) Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaInNAsSb Core-Multishell Quantum Well Nanowires Having Different Sb Content and Well Widths

Takuto Goto, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa

International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 2024, Matsue, 2024年9月8-13日

(TU-B1-05) Molecular Beam Epitaxy Of GaAs/GaNAs Core-Multishell Nanowires With Multiple Quantum Wells Up To 5 Periods

Ryoga Iida, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Fumitaro Ishikawa

International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 2024, Matsue, 2024年9月8-13日

(PS-05-07) Room Temperature Polarization-Dependent Photocurrent Characteristics of Near-Infrared Photodiode Based on Dilute Nitride GaNAs

Daiki Mineyama, Satoshi Hiura, Kaito Nakama, Hidetoshi Hashimoto, Keisuke Minehisa, Junichi Takayama, Agus Subagyo, Kazuhisa Sueoka, Fumitaro Ishikawa, Akihiro Murayama

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024), Himeji, 2024年9月1-4日

(NAMBE-MoP-32) Wafer Scale GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on 2-inch Si Substrate Showing Efficient Light Emission/Absorption with High Thermal Stability,

Keisuke Minehisa, H. Hashimoto, K. Nakama, H. Kise, S. Sato, J. Takayama, S. Hiura, A. Murayama, F. Ishikawa,

The 38th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2024), Tuft’s University, Boston, USA, 2024年7月22-24日.

(Poster) Core-Multishell Nanowires of GaAs/GaInNAs Tripe Quantum Wells Emitting up to Telecommunication Wavelength 1.28 μm

K. Nakama, K. Minehisa, H. Hashimoto, M. Yukimune, F. Ishikawa, A. Higo, M. Jansson, W. M. Chen, I. A. Buyanova

Compound Semiconductor Week 2024, Lund University, Sweden, 2024年6月3-6日.

(Oral) Annealing Effect on GaAs and GaNAs Nanowires at Various Temperatures

Hidetoshi Hashimoto, Ryoga Iida, Takuto Goto, Keisuke Minehisa, Kaito Nakama, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2024, Lund University, Sweden, 2024年6月3-6日.

(Oral) III-V Nanowires with Light-Absorbing/Emitting Properties on a 2-Inch Si Wafer

K. Minehisa, K. Nakama, H. Hashimoto, F. Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2024, Lund University, Sweden, 2024年6月3-6日.

(Poster) Growth and Characterizations of GaAs/GaNAs Core-Multishell Multiple Quantum Well Nanowires Having Different Periodicity

R. IIda, K. Nakama, H. Hashimoto, K. Minehisa, F. Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2024, Lund University, Sweden, 2024年6月3-6日.

(Poster) Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaInNAsSb Core-Multishell Nanowires

T. Goto, K. Nakama, H. Hashimoto, K. Minehisa, F. Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2024, Lund University, Sweden, 2024年6月3-6日.

国内会議

[17a-C302-11] 希薄窒化GaNAsを用いた近赤外フォトダイオードにおける室温での光電流の偏光依存性

峯山大輝、矢野龍弥、江藤亘平、樋浦諭志、中間海音、橋本英季、峰久恵輔、高山純一、スバギョアグス、末岡和久、石川史太郎、村山明宏
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

[19a-B2-1] 高い光吸収/発光/熱特性を示す２インチSi基板上GaAs/AlGaAsコアーシェルナノワイヤ

峰久恵輔、橋本英季、中間海音、木瀬寛都、佐藤紫乃、高山純一、樋浦諭志、村山明宏、石川史太郎
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

[19a-B2-2] MBE法によるパターンSi基板上GaAsナノワイヤ核生成に及ぼすマスクパターンの影響

中間海音、肥後昭男、石川史太郎
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

[19a-B2-3] 分子線エピタキシャル成長したGaAs/GaNAsコア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの特性

飯田竜雅、中間海音、橋本英季、峰久恵輔、石川史太郎
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

[19a-B2-4] 希釈窒化物半導体ナノワイヤにおけるアニール処理条件が光学特性へ与える影響

橋本英季、飯田竜雅、後藤拓翔、峰久恵輔、中間海音、石川史太郎
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ 2024年9月16-20日

金属酸化物ナノワイヤアレイデバイスの高性能化へ向けた表面積拡大アプローチ

風間勇汰, 松村竜之介, 岡紗雪, 吉田秀人, 石川史太郎, N. Khemasiri, 蓬田陽平, 長島一樹

第10回北大部局横断シンポジウム, 北海道大学, 2024年9月6日

[Th-P03] 温度を変化させてアニール処理したGaAs系ナノワイヤの発光特性

橋本英季、飯田竜雅、後藤拓翔、峰久恵輔、中間海音、石川史太郎
第6回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知市・高知県立県民文化ホール 2024年5月30-6月1日

[Th-P04] １から５周期の多重量子井戸構造を有するGaAs/GaNAsコア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

飯田竜雅、中間海音、橋本英李、峰久恵輔、石川史太郎

第6回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知市・高知県立県民文化ホール 2024年5月30-6月1日

[Fr-P01] 光吸収と熱特性に優れた2インチSi基板上GaAs/AlGaAsコアーシェルナノワイヤ成長

峰久恵輔、橋本英季、中間海音、木瀬寛都、佐藤紫乃、高山純一、樋浦諭志、村山明宏、石川史太郎

第6回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知市・高知県立県民文化ホール 2024年5月30-6月1日

[Fr-P10] Sb濃度と井戸幅を変化させたGaAs/GaInNAsSbコア-マルチシェル量子井戸ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

後藤拓翔、中間海音、橋本英季、峰久恵輔、石川史太郎

第6回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知市・高知県立県民文化ホール 2024年5月30-6月1日

[Fr-P11] プラズマ支援MBE法によるGaAs/GaNAsコアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上成長と内部結晶方位特性

中間海音、峰久恵輔、橋本英季、行宗詳規、肥後昭男、石川史太郎

第6回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知市・高知県立県民文化ホール 2024年5月30-6月1日

[24a-22A-2] 近赤外域で光吸収・発光特性を示すSi上化合物半導体ナノワイヤ

峰久惠輔, 橋本英李, 中間海音, 石川史太郎
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス 2024年3月22-25日

[24a-22A-3] MBE法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ核形成初期段階の検討

中間海音, 峰久惠輔, 橋本英李, 石川史太郎
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス 2024年3月22-25日

[24a-22A-4] 積層周期を変化させたGaAs/GaNAsコア-マルチシェル多重量子井戸構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

飯田竜雅, 中間海音, 橋本英李, 峰久惠輔, 石川史太郎
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス 2024年3月22-25日

[24a-22A-5] GaAs/GaInNAsSbコア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

後藤拓翔, 中間海音, 橋本英李, 峰久惠輔, 石川史太郎
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス 2024年3月22-25日

[24a-22A-6] GaAs系ナノワイヤにおけるアニール処理温度が光学特性へ与える影響

橋本英季, 飯田竜雅, 後藤拓翔, 峰久惠輔, 中間海音, 石川史太郎
第71回応用物理学会春季学術講演会, 東京都市大学世田谷キャンパス 2024年3月22-25日

2023

論文

GaAs/GaInNAs core-multishell nanowires with a triple quantum-well structure emitting in the telecommunication range

Kaito Nakama, Mitsuki Yukimune, Naohiko Kawasaki, Akio Higo, Satoshi Hiura, Akihiro Murayama, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Letters 123, 081104, 2023.

Lattice dynamics and carrier recombination in GaAs/GaAsBi nanowires

M. Jansson, V. V. Nosenko, G. Yu Rudko, F. Ishikawa, W. M. Chen, I. A. Buyanova

Scientific Reports 13, 12880, 2023.

Wafer-scale integration of GaAs/AlGaAs core–shell nanowires on silicon by the single process of self-catalyzed molecular beam epitaxy

Keisuke Minehisa, Ryo Murakami, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Kenta Sakaguchi, Rikuo Tsutsumi, Takeru Tanigawa, Mitsuki Yukimune, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Shino Sato, Satoshi Hiura, Akihiro Murayama, Fumitaro Ishikawa

Nanoscale Advances 5, 1651, 2023.

Structural evaluation of GaAs1−xBix obtained by solid-phase epitaxial growth of amorphous GaAs1−xBi thin films deposited on (0 0 1) GaAs substrates

Osamu Ueda, Noriaki Ikenaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Fumitaka Nishiyama, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Yoriko Tominaga

Journal of Crystal Growth 601, 126945, 2023.

招待講演

Material Exploration and Wafer Scale Growth of GaAs Related Nanowires by Self-catalyzed Molecular Beam Epitaxy

Fumitaro Ishikawa

11th International Conference on Materials for Advanced Technologies 2023 (ICMAT 2023), Singapore, 2023年6月28日り

国際会議

(PS1-15) Core-Multishell Nanowires of GaAs/GaInNAs Tripe Quantum Wells Emitting up to Telecommunication Wavelength 1.28 μm

K. Nakama, K. Minehisa, A. Higo, F. Ishikawa

Nanowire Week 2023, Global Learning Center @ Georgia Tech, Atlanta, (USA), 2023年10月9-13日.

(PS2-38) Enrolled Cylinder Transferred from Coalesced GaAs/Al-rich AlGaAs Core-Shell Nanowires through Native Oxidation

H. Hashimoto, K. Minehisa, K. Nakama, K. Nagashima, T. Yanagida, F. Ishikawa

Nanowire Week 2023, Global Learning Center @ Georgia Tech, Atlanta, (USA), 2023年10月9-13日.

(Oct12-10:00) Molecular Beam Epitaxy of GaInNAs Nanowires over 2-inch Si(111) Substrate Operating at Near Infrared Regime

K. Minehisa, H. Hashimoto, K. Nakama, F. Ishikawa

Nanowire Week 2023, Global Learning Center @ Georgia Tech, Atlanta, (USA), 2023年10月9-13日.

(NM-MoP-37) Molecular Beam Epitaxial Growth of GaInAs, GaNAs and GaInNAs Nanowires over 2-inch Si(111) Substrate Showing Emission at Near Infrared Regime,

Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Fumitaro Ishikawa

The 37th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NAMBE 2023), Madison (USA), 2023年9月18日.

国内会議

[Th3-2] Crystallographic characterization of low-temperature-grown GaAsBi using X-ray fluorescence holography

蛍光 X 線ホログラフィーを用いた低温成長 GaAsBi の結晶学的特性の解析

Y. Kozai, K. Kimura, T. Umenishi, S. Saito, Y. Tominaga, M. Yukimune, F. Ishikawa, N. Happo, and K. Hayashi

第42回電子材料シンポジウム, Fr1-12, ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2023年10月11-13日.

[Fr1-12] Photoelectrical Characterization of Low-Temperature-MBE-Grown GaAsBi Layers

低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価

H. Imabayashi, M. Umeda, K. Shiojima, T. Umenishi, Y. Tominaga, M. Yukimune, F. Ishikawa, and O. Ueda

第42回電子材料シンポジウム, ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2023年10月11-13日.

[20p-A311-2] MBE法による通信帯域発光波長を有するGaAs/GaInNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤのパターン基板上VLS成長
中間海音, 行宗詳規, 肥後昭男, 石川史太郎
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本 2023年9月19-23日

[20p-A311-3] GaAsナノワイヤにおける窒素パッシベーションとアニール処理の光学特性への影響
橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 石川史太郎
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本 2023年9月19-23日

[21p-P05-5] 光学測定に基づく低温成長InyGa1-yAs1-xBixのバンド端ゆらぎの解析
荒川竜芳, 梅西達哉, 齋藤聖哉, 香西優作, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎
第84回応用物理学会秋季学術講演会, 熊本 2023年9月19-23日

[Fr-P23] パターンSi基板を用いた位置選択MBE法によるGaAs系ナノワイヤ配列・構造制御

中間海音, 行宗詳規, 峰久恵輔, 肥後昭男, 石川史太郎

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, 2023年6月15-17日

[Th-P06] GaAs/AlGaAsコア-シェルナノワイヤ埋込構造における酸化プロセスと構造変形

橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 谷川武瑠, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, 2023年6月15-17日

[Th-P28] 近赤外域発光を示す2インチSi(111)基板上GaInAs, GaNAs,およびGaInNAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長,

峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 石川史太郎,

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 山形テルサ, 2023年6月15-17日

GaAs/AlGaOxコア-シェルナノワイヤ埋込構造の成長と最外殻シェル層に起因する構造変形
橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 谷川武瑠, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎
第70回応用物理学会春季学術講演会, 東京 2023年3月15-18日

パターン開口 Si 加工基板を用いた MBE 法による GaAs 系ナノワイヤ成長条件最適化
中間海音, 行宗詳規, 峰久恵輔, 肥後昭男, 石川史太郎
第70回応用物理学会春季学術講演会, 東京 2023年3月15-18日

MBE法を用いた無加工２インチ Si 基板上 GaInNAs ナノワイヤ成長
峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 谷川武瑠, 行宗詳規, 石川史太郎
第70回応用物理学会春季学術講演会, 東京 2023年3月15-18日

低温MBE成長GaAsBi層の光電評価

梅田皆友, 今林弘殻, 塩島謙次, 梅西達哉, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 上田修

第70回応用物理学会春季学術講演会, 東京 2023年3月15-18日

(001)GaAs基板上のGaAs1−xBix薄膜の構造評価(1) 熱処理した低温成長GaAs1−xBix薄膜中の欠陥のTEM評価

上田修, 池永訓昭, 堀田行紘, 高垣佑斗, 西山文隆, 行宗詳規, 石川史太郎, 富永依里子

第70回応用物理学会春季学術講演会, 東京 2023年3月15-18日

(001)GaAs基板上のGaAs1−xBix薄膜の構造評価(2) 固相成長したGaAs1−xBix薄膜中の欠陥のTEM評価

上田修, 池永訓昭, 堀田行紘, 高垣佑斗, 西山文隆, 行宗詳規, 石川史太郎, 富永依里子

第70回応用物理学会春季学術講演会, 東京 2023年3月15-18日

2022

論文

Designing Semiconductor Nanowires for Efficient Photon Upconversion via Heterostructure Engineering

Mattias Jansson, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

ACS Nano 16, 12666, 2022.

AlGaOx nanowires obtained by wet oxidation as a visible white phosphor under UV-LED illumination

Takeru Tanigawa, Rikuo Tsutsumi, Fumitaro Ishikawa

Japanese Journal of Applied Physics 61, SD1005, 2022.

Crystalline quality of GaAs1−xBix grown below 250 °C using molecular beam epitaxy

Yoriko Tominaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Fumitaka Nishiyama, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Express 15, 045504, 2022.

招待講演

MBE研究で続けてきたこと

石川史太郎

第4回電子材料若手交流会(ISYSE)研究会 2022年11月28日

国際会議

Cylindrical membrane made of enrolled GaAs/AlGaOx core-shell nanowires through the strain deformation of shell oxides

Hidetoshi Hashimoto, Takeru Tanigawa, Keisuke Minehisa, Kaito Nakama, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa

35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2022年11月10日

Selective Area Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaInNAs Core-Multishell Nanowires emitting at 1.2 μm on Silicon (111)
Kaito Nakama, Mitsuki Yukimune, Akio Higo, Fumitaro Ishikawa
International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics 2022 2022年9月14日

Molecular beam epitaxy of GaAs-related nanowires over 2-inch Si(111) substrate for large volume nanowires synthesis
Keisuke Minehisa, Hidetoshi Hashimoto, Kaito Nakama, Takeru Tanigawa, Kento Sakaguchi, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa
Compound Semiconductor Week 2022, 2022年6月3日

Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers

Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, and Osamu Ueda

Advanced Metallization Conference 2022, 31st Asian Session (ADMETA plus), Online Conference, Tokyo, Japan, October 13–14, 2022.

国内会議

加工基板を用いた位置選択 MBE 法による上 Si(111)GaAs ナノワイヤ成長条件の検討
中間海音, 行宗詳規, 肥後昭男, 石川史太郎
第 14 回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月

無加工２インチSi基板上GaInNAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長
峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 谷川武瑠, 行宗詳規, 石川史太郎
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月

GaAs/AlGaOxコア-シェルナノワイヤの自然酸化による剥離とシリンダ形成
橋本英季, 峰久恵輔, 中間海音, 谷川武瑠, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎
第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月

機械学習を用いたMBE 成長による半導体ナノワイヤの最適条件推定

原太一, 前田悠一朗, 草場彰, 寒川義裕, 石川史太郎, 奥山哲也

第41回電子材料シンポジウム, We1-7, ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2022年10月19-21日.

低温成長GaAs1-xBixの光信号応答時間のBi組成依存性

齋藤聖哉, 梅西達哉, 原田南斗, 香西優作, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 小島磨,

第41回電子材料シンポジウム, Th1-5, ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2022年10月19-21日.

自己触媒分子線エピタキシー法による2インチウェハスケールGaAs 系ナノワイヤの作製

峰久恵輔, 橋本英季, 中間海音, 谷川武瑠, 坂口健大, 行宗詳規, 石川史太郎

第41回電子材料シンポジウム, Th3-8, ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2022年10月19-21日.

円筒形微細構造を作るGaAs/AlGaOx コアシェルナノワイヤの歪変形

橋本英季, 谷川武瑠, 峰久恵輔, 中間海音, 長島一樹, 柳田剛, 石川史太郎

第41回電子材料シンポジウム, Th-3-10,

ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2022年10月19-21日.

MBE 法による加工基板上GaAs/GaInNAs コアシェルナノワイヤアレイの1280nm 発光

中間海音, 行宗詳規, 肥後昭男, 石川史太郎

第41回電子材料シンポジウム, Th3-6, ダイワロイヤルホテル THE KASHIHARA (奈良県橿原市）, 2022年10月19-21日.

白色蛍光体AlGaOxナノワイヤのラビング処理及びその特性評価
谷川武瑠, 岡野昂輝, 石川史太郎
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月23日

高温・高圧処理したBイオン注入ダイヤモンドの構造評価
鳥生大樹, 東浦健人, 福田玲, 石川史太郎, 新名亨, 入舩徹男
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日

低温成長GaAs1−xBixのホッピング伝導機構の解析

原田南斗, 梅西達哉, 香西優作, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎, 梶川靖友

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日

2021

論文

Molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaNAsBi core–multishell nanowires

Masahiro Okujima, Kohei Yoshikawa, Shota Mori, Mitsuki Yukimune, Robert D. Richards, Bin Zhang, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Express, 14, 115002, 2021, https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac32a7.

Anomalously Strong Second-Harmonic Generation in GaAs Nanowires via Crystal-Structure Engineering

Bin Zhang, Jan E. Stehr, Ping-Ping Chen, Xingjun Wang, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

Advanced Functional Materials, 14, 115002, 2021, https://doi.org/10.1002/adfm.202104671.

AlGaAs/GaAs superlattice photocathode grown by molecular beam epitaxy: correspondence between room temperature photoluminescence and quantum efficiency

Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Masao Tabuchi

Japanese Journal of Applied Physics, 60, SBBK02, 2021, https://doi.org/10.35848/1347-4065/abd6e0.

Sn-V centers in diamond activated by ultra high pressure and high temperature treatment

Rei Fukuta, Yohei Murakami, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune, Fumitaro Ishikawa

Japanese Journal of Applied Physics, 60, 035501, 2021, https://doi.org/10.35848/1347-4065/abdc31.

国際会議

[P22-3] Self-Catalyzed Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs nanowires on 2-inch Si(001) wafer

Naoto Danjo, Kenta Sakaguchi, Fumitaro Ishikawa

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), October 26-29, ONLINE

[28B-3-3] AlGaOx Nanowires Phosphor Obtained by Wet Oxidation of AlGaAs Providing a White Light Under UV-LED illumination

Takeru Tanigawa, Rikuo Tsutsumi, Fumitaro Ishikawa

34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021), October 26-29, ONLINE

[ConfCode-100] Nucleation mechanism of GaAs nanowires on Si(111) substrates by constituent Ga self-catalyzed molecular beam epitaxy

Ryo Murakami, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

21st International Conference on Molcular Beam Epitaxy (ICMBE), September 6-9, ONLINE

[ConfCode-85] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaNAsBi/GaAs Core-Multishell Nanowires

Yuto Torigoe, Kohei Yoshikawa, Masahiro Okujima, Syota Mori, Mitsuki Yukimune, Robert D. Richards, Fumitaro Ishikawa

21st International Conference on Molcular Beam Epitaxy (ICMBE), September 6-9, ONLINE

[ConfCode-55] Impact of As2 pressure on the molecular beam epitaxial growth of AlGaAssuperlattice at temperature over 700℃

Reiji Suzuki, Iori Morita, Fumitaro Ishikawa, Anna Honda, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomihiro Nishitani, Masao Tabuchi

21st International Conference on Molcular Beam Epitaxy (ICMBE), September 6-9, ONLINE

[O8B.3] Effect of ultra high pressure and high temperature tretment on the impurity distribution of B-implanted diamond

Kento Higashiura, Daiki Toriu, Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Toru Shinmei, Hiroaki Ohfuji, Tetsuo Irifune

31st International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM), September 6-9, ONLINE

[O14A.5] Er ion implantation and ultra high pressure and high temperature treatment on diamond

Daiki toriu, Kento Higashiura, Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune

31st International Conference on Diamond and Carbon Materials (ICDCM), September 6-9, ONLINE

[P28] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaNAsBi Nanowires emitting 1300nm

Masahiro Okujima, Kohei Yoshikawa, Yuto Torigow, Syota Mori, Mitsuki Yukimune, Robert D. Richards, Fumitaro Ishikawa

15th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronic Materials and Devices (MIOMD), September 1-3, ONLINE

[J. X. 3] Bandgap tailoring on demand in GaAs/GaAsN core/shell nanowires by post-growth hydrogenation

N. Gächter, E. Blundo, M. Yukimune, I. Zardo, F. Ishikawa, A. Polimeni, M. De Luca

The 2021 Spring Meeting of the European Materials Research Society (E-MRS), May 31- June 3, ONLINE

[P27] GaInNAs Nanowires Grown by Molecular Beam Epitaxy Showing Room Temperature Photoluminescence

Masahiro Okujima, Kohei Yoshikawa, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2021, May 9-13, ONLINE

[P28] Molecular Beam Epitaxial Growth of GaNAsBi Nanowires

Kohei Yoshikawa, Masahiro Okujima, Syota Mori, Mitsuki Yukimune, Robert D. Richards, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2021, May 9-13, ONLINE

[S53.00008] Defect engineering on demand in GaAsN nanowires by post-growth hydrogen irradiation

Nadine Gächter, Elena Blundo, Mitsuki Yukimune, Ilaria Zardo, Fumitaro Ishikawa, Antonio Polimeni, Marta De Luca

APS March Meeting 2021, March 15-19, ONLINE

Molecular beam epitaxial growth of GaAs1-xBix at low temperatures

Yoriko Tominaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Tatsuya Umenishi, Mitsuki Yukimune, and Fumitaro Ishikawa

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), 2021, March 1-4, ONLINE

国内会議

[P2-B05] Comparison of self-catalyzed molecular beam epitaxial growth of GaAs nanowires on 2-inch Si(001) and Si(111) wafers

N. Danjo, K. Sakaguchi, F. Ishikawa

40th Electronic Materials Symposium EMS-40, 2021年10月11-13日, オンライン開催

[P2-A06] AlGaOx Nanowires Phosphor Providing White Light Obtained by Wet Oxidation of AlGaAs

T. Tanigawa, R. Tsutsumi and F. Ishikawa

40th Electronic Materials Symposium EMS-40, 2021年10月11-13日, オンライン開催

[P1-B06] Effect of high pressure and high temperature treatment on erbium implanted diamond

D. Toriu, K. Higashiura, R. Fukuta, F. Ishikawa, T. Shinmei and T. Irifune

40th Electronic Materials Symposium EMS-40, 2021年10月11-13日, オンライン開催

[P1-A01] GaAs related core-multishell nanowires having GaNAsBi well grown by molecular beam epitaxy

Y. Torigoe, K. Yoshikawa, M. Okujima, S. Mori, M. Yukimune, and F. Ishikawa

40th Electronic Materials Symposium EMS-40, 2021年10月11-13日, オンライン開催

[P128] 分子線エピタキシー法によるGaAs/GaNAsBi/GaAs コア-マルチシェルナノワイヤの成長

奥嶋正浩, 吉川晃平, 森翔太, 行宗詳規, 石川史太郎

日本金属学会 2021年秋季講演大会, 2021年9月14日-2021年9月17日, オンライン開催

[13p-N323-12] 分子線エピタキシー法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ成長における核形成段階の検討

村上諒, 行宗詳規, 石川史太郎

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月13日, オンライン開催

[13p-N323-11] GaAs/AlリッチAlGaAsコアーシェルナノワイヤの自然酸化後の構造特性

檀上直斗, 坂口健大, 石川史太郎

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月13日, オンライン開催

[13p-N323-10] 水蒸気酸化で作製した白色蛍光体AlGaOxナノワイヤの発光効率の最適化

谷川武瑠, 堤陸郎, 石川史太郎

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月13日, オンライン開催

[13a-S301-6] ダイヤモンドへのErイオン注入と超高温・高圧処理の効果

鳥生大樹, 東浦健人, 福田玲, 石川史太郎, 新名亨, 入舩徹男

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月13日, オンライン開催

[12p-N406-11] GaAs/GaNAsBi/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

鳥越友斗, 吉川晃平, 奥嶋正浩, 森翔太, 行宗詳規, 石川史太郎

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月12日, オンライン開催

[12a-N406-9] As2を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長

鈴木玲士, 石川史太郎, 本田杏奈, 佐藤大樹, 小泉淳, 西谷智博, 田渕雅夫

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年9月12日, オンライン開催

[1-7] Bイオン注入ダイヤモンドの不純物分布に及ぼす超高圧・高温処理の影響

東浦健人, 鳥生大樹, 福田玲, 石川史太郎, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男

応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会, 2021年8月23日, オンライン開催

[1-6] GaAs/GaNAsBiコアーシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

吉川晃平, 奥嶋正浩, 行宗詳規, 石川史太郎

応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会, 2021年8月23日, オンライン開催

[1-5] AlGaOXナノワイヤ白色偏光特性の波長依存性

貞安朋樹, 夏井潤, 山本直紀, 三宮工, 石川史太郎

応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会, 2021年8月23日, オンライン開催

[1-4] 2インチSi(111)基板上でのGaAsナノワイヤ分子線エピタキシャル成長

坂口健大, 石川史太郎

応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会, 2021年8月23日, オンライン開催

[1-3] ラビング処理によるナノワイヤ転写の表面観察

岡野昂輝, 堤陸朗, 石川史太郎

応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会, 2021年8月23日, オンライン開催

[18a-Z13-1] 高温高圧処理したBイオン注入ダイヤモンドの表面近傍不純物分布

東浦健人, 鳥生大樹, 福田玲, 石川史太郎, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男

第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月18日, オンライン開催

[18a-Z24-3] 成長レートを変調したGaAs/InGaAsコアーシェルナノワイヤの分子線エピタキシャル成長

吉川晃平, 奥嶋正浩, 石川史太郎

第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月18日, オンライン開催

[17p-Z18-2] GaAs/GaInNAs/GaAsコア-シェルナノワイヤの分子線エピタキシー成長

奥嶋正浩，吉川晃平, 森翔太, 石川史太郎

第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月17日, オンライン開催

[18a-Z24-6] 低温成長におけるGaAs1-xBixのBi含有率の制御

富永依里子, 梅西達哉, 高垣佑斗, 行宗詳規, 石川史太郎

第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月18日, オンライン開催

[16a-Z04-1] 自然に倣う結晶の理解と未踏機能性結晶の探求

石川史太郎

第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年3月18日, オンライン開催

2020

論文

Polytypism in GaAs/GaNAs core–shell nanowires

M Yukimune, R Fujiwara, T Mita, F Ishikawa

Nanotechnology, 31(50) 505608 - 505608, 2020, https://doi.org/10.1088/1361-6528/abb904.

Self-assembled nanodisks in coaxial GaAs/GaAsBi/GaAs core–multishell nanowires

Bin Zhang, Mattias Jansson, Yumiko Shimizu, Weimin M. Chen, Fumitaro Ishikawa, Irina A. Buyanova

Nanoscale, 12(40) 20849 - 20858, 2020, https://doi.org/10.1039/d0nr05488g.

Twin defect-triggered deformations and Bi segregation in GaAs/GaAsBi core–multishell nanowires

Teruyoshi Matsuda, Kyohei Takada, Kohsuke Yano, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Letters, 117(11) 113105 - 113105, 2020, https://doi.org/10.1063/5.0013094.

Dispersing InP nanocrystals in nano-polycrystalline diamond during the direct conversion from graphite

Rei Fukuta, Naoya Yamamoto, Yohei Murakami, Fumitaro Ishikawa, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune

Materials Transactions, 61(9) 1707 - 1710, 2020, https://doi.org/10.2320/matertrans.MT-M2020124

Outermost AlGaOx native oxide as a protection layer for GaAs/AlGaAs core-multishell nanowires

Rikuo Tsutsumi, Naoki Tsuda, Bin Zhang, Weimin Chen, Irina Buyanova, Fumitaro Ishikawa

Applied Physics Express, 13 075003-1 - 4, 2020, doi:10.35848/1882-0786/ab9874.

Effects of thermal annealing on localization and strain in core/multishell GaAs/GaNAs/GaAs nanowires

Roman M. Balagula, Mattias Jansson, Mitsuki Yukimune, Jan E. Stehr, Fumitaro Ishikawa, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

Scientific Reports,10, 8216-1-9, 2020, doi:10.1038/s41598-020-64958-6.

Coherent strain evolution at the initial growth stage of AlN on SiC(0001) proved by in situ synchrotron X-ray diffraction

Hidetoshi Suzuki, Fumitaro Ishikawa, Takuo Sasaki, Masamitu Takahasi

Applied Physics Express 13, 055501-1-5, 2020, doi:10.35848/1882-0786/ab84bf.

Deep-ultraviolet near band-edge emissions from nano-polycrystalline diamond

Ryota Ishii, Rei Fukuta, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Hiroaki Ohfuji, Toru Shinmei, Tetsuo Irifune, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

High Pressure Research, 40, 140-147, 2020, doi:10.1080/08957959.2019.1702658.

国際会議

[2020-22-4]Wavelength dependence of light polarization characteristics of whiteluminescence from AlGaOx nanowires showing white luminescence

Tomoki Sadayasu, Jun Natsui, Naoki Yamamoto, Naoki Yamamoto, Takumi Sannomiya, Fumitaro Ishikawa

33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference,October 19,ONLINE

[2020-22-5]Growth of vertically aligned GaAs nanowire ensembles by molecular beam epitaxy and their transfer to planar substrate by simple rubbing method

Koki Okano, Rikuo Tsutsumi, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference,October 19,ONLINE

[H-3-06]2-inch wafer sized GaAs nanowire ensembles on Si grown by self-assisted molecular beam epitaxy

Kenta Sakaguchi, Rikuo Tsutsumi, Tomoki Ohno, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

Solid State Devices and Materials 2020, September 29, All virtual conference

[K-5-05]AlGaAs/GaAs superlattice grown by molecular beam epitaxy for its application to semiconductor photocathode

I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi

Solid State Devices and Materials 2020, September 29, All virtual conference

(Accepted) Molecular beam epitaxial growth of GaAs1-xBix at low temperatures

Yoriko Tominaga, Yukihiro Horita, Yuto Takagaki, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2020, May 2020, Stockholm (Conference canceled).

(Accepted) Semiconductor photocathode with AlGaAs/GaAs superlattice structures grown by molecular beam epitaxy

I. Morita, F. Ishikawa, A. Honda, D. Sato, A. Koizumi, T. Nishitani, M. Tabuchi

Compound Semiconductor Week 2020, May 2020, Stockholm (Conference canceled).

(Accepted) Effects of AlGaAs shell barrier on the photoluminescence intensity of GaAs related heterostructure nanowires grown by molecular beam epitaxy

M. Yukimune, F. Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2020, May 2020, Stockholm (Conference canceled).

国内会議

[2B07] Pイオン注入ダイヤモンドに対する高温高圧処理効果

福田玲, 東浦健人, 石川史太郎, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男, 加藤宙光, 小倉政彦, 牧野俊晴，寺地徳之

第61回高圧討論会, 2020年12月2-4日, オンライン開催

[P1-11]Growth of GaAs nanowires on 2-inch Si substrate by molecular beam epitaxy

M. Yukimune, K. Sakaguchi, R. Tsutsumi, T. Ohno, and F. Ishikawa

39th Electronic Materials Symposium, October 7-9, ONLINE

[P1-12]Effect of Bi flux on the molecular beam epitaxial growth of GaAs/GaAsBi core/shell nanowires GaAs/GaAsBi

M. Okujima, S. Mori, K. Yoshikawa, M. Yukimune, R. D. Richards, F. Ishikawa

39th Electronic Materials Symposium, October 7-9, ONLINE

[P1-16]High pressure and high temperature treatment for the impurity control of P implanted diamond

K.Higashiura, R.Fukuta, F.Ishikawa, T.Shinmei, H.Ohfuji, T.Irifune

39th Electronic Materials Symposium, October 7-9, ONLINE

[P3-1]Characteristics of droplet formations at the molecular beam epitaxy of GaAsBi compound nanostructures on Si(111) and GaAs(001) substrates

K. Yoshikawa, K. Nagashima, T. Yanagida, F. Ishikawa

39th Electronic Materials Symposium, October 7-9, ONLINE

[8p-Z05-4] 高温高圧処理したPイオン注入ダイヤモンドの特性

東浦健人, 福田玲, 石川史太郎, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男, 加藤宙光, 小倉政彦, 牧野俊晴，寺地徳之

第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月8-11日, オンライン開催

[9p-Z01-6] GaAsBi分子線エピタキシャル成長におけるGaAs基板上Bi液滴形成

吉川晃平, 長島一樹，柳田剛，石川史太郎

第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月8-11日, オンライン開催

[9p-Z01-7] Bi導入で引き起こされるGaAs/GaAsBiヘテロ構造ナノワイヤの特徴的構造変形

奥嶋正浩，森翔太，吉川晃平，行宗詳規

第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月8-11日, オンライン開催

[9p-Z01-8] GaAsナノワイヤの分子線エピタキシャル成長の大面積化

坂口健大，石川史太郎

第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月8-11日, オンライン開催

[11a-Z26-12] 白色発光するAlGaOx ナノワイヤの偏光特性の波長依存性

貞安朋樹, 夏井潤, 山本直紀, 三宮工, 石川史太郎

第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月8-11日, オンライン開催

[11p-Z26-13] ラビング処理によるナノワイヤ配列の平面塗布

岡野昂輝, 堤陸朗, 行宗詳規, 石川史太郎

第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年9月8-11日, オンライン開催

[P107] GaAsBiナノワイヤ分子線エピタキシャル成長におけるBiフラックスの影響

森翔太, 堤陸朗, 行宗詳規, 石川史太郎

2020年春期日本金属学会第166回講演会, 2020年3月17-19日, 東京工業大学大岡山キャンパス

[12a-D215-5] 低温成長GaAs1-xBixの分子線エピタキシャル成長条件

富永依里子, 堀田行紘, 高垣佑斗, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[13p-PA5-4] 低温成長GaAs1-xBixの結晶学的・光学的両特性

横手竜希, 堀田行紘, 高垣佑斗, 林亮輔, 富永依里子, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[14a-PA2-17] 最外殻に高Al濃度AlGaAsを持つGaAs/AlGaAsコアシェル型ナノワイヤの作製

堤陸朗, 石川史太郎

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[14a-PA2-16] シリコン基板上に成長したGaAsナノワイヤの光アノード応用

大野智樹, 行宗詳規, 藤原亮, 石川史太郎, Wang Yongjie, Mi Zetian

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[13p-D305-4] 縦ヘテロ構造ナノワイヤの分子線エピタキシャル成長とAlGaAsシェルによるフォトルミネッセンス発光強度の改善

行宗詳規, 石川史太郎

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[13p-PA8-8] 高温高圧合成によるＰ元素導入ナノ多結晶ダイヤモンドの合成

大津山健, 福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 大藤弘明, 新名亨, 入舩徹男

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[14a-D221-2] Pイオン注入ダイヤモンドに対する高温高圧処理

福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[13p-PA5-7] AlGaAs系半導体材料を用いたフォトカソードのMBE成長

森田伊織, 石川史太郎, 西谷智博, 田渕雅夫

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

[12a-D215-6] GaAs/GaAsBiコアーシェルナノワイヤ成長におけるBi フラックスの影響

森翔太, 堤陸朗, 行宗詳規, 石川史太郎

第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年3月12-15日, 上智大学四谷キャンパス

2019

論文

Effects of growth temperature and thermal annealing on optical quality of GaNAs nanowires emitting in the near-infrared spectral range

Jan Eric Stehr, Roman Balagula, Mattias Jansson, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Weimin Chen, Irina A Buyanova

Nanotechnology, 31, 065702-1-6, 2020.doi:10.1088/1361-6528/ab51cd

Controlling Bi Provoked Nanostructure Formation in GaAs/GaAsBi Core–Shell Nanowires

Teruyoshi Matsuda, Kyohei Takada, Kosuke Yano, Rikuo Tsutsumi, Kohei Yoshikawa, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Kazuki Nagashima,Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa

Nano Letters, 19, 8510, 2019. doi:10.1021/acs.nanolett.9b02932

(総合報告) 薄膜技術応用による化合物半導体ナノワイヤ新材料の開拓

石川史太郎

日本結晶成長学会誌, 46, 46(2) 04-1-9, 2019.

doi:10.19009/jjacg.46-2-04

Strain deformation in GaAs/GaAsBi core-shell nanowire heterostructures

T. Matsuda, K. Takada, K. Yano, S. Shimomura, F. Ishikawa

Journal of Applied Physics, 125, 194301-1-5, 2019. doi:10.1063/1.5092524

Molecular beam epitaxial growth of dilute nitride GaNAs and GaInNAs nanowires

Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Takaya Mita, Naoki Tsuda, Jun Natsui, Yumiko Shimizu, Mattias Jansson, Roman Balagula, W M Chen, Irina A Buyanova, Fumitaro Ishikawa

Nanotechnology 30, 244002, 2019.doi:10.1088/1361-6528/ab0974

Near-Infrared Lasing at 1 µm from a Dilute Nitride-Based Multishell Nanowire

Shula Chen, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Weimin M Chen, and Irina A Buyanova

Nano Letters, 19, 885-890, 2019.doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b04103

書籍

Strategic Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs/GaAsBi Heterostructures and Nanostructures

Pallavi Kisan Patil, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa, Esperanza Luna, Masahiro Yoshimoto

Chapter 4 in Bismuth-Containing Alloys and Nanostructures, edited by Shumin Wang and Pengfei Lu, edited by Shumin Wang and Pengfei Lu, pp. 59-96., July 2019, Springer.

国際会議

(EL05.09.04) High pressure and high temperature treatment for ion implanted diamonds

R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, T. Shinmei, H. Ohfuji, T. Irifune

2019 MRS FALL MEETING & EXHIBIT, December 1-6, 2019, the Hynes Convention Center and adjacent Sheraton Boston Hotel, Boston.

(PWe48) Growth of Dilute Nitride Core-Multishell Heterostructured Nanowires

M. Yukimune, R. Fujiwara, F. Ishikawa

International School and Symposium on Nanoscale Transport and phoTonics 2019, November 18-22, 2019, NTT Atsugi R&D Center, Japan.

(MoP-GR-17) Pyramid formation by high pressure and high temperature processing of diamond

Rei Fukuta, Yohei Murakami, Ken Otsuyama, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Toru Shinmei, Hiroaki Ohfuji and Tetsuo Irifune

The 9th Asia-Pacifi Workshop on Widegap Semiconductors, November 10-15, 2019, Okinawa, Japan.

(30P-7-10) GaAs Nanowires on Si for its application to photoanodes

T. Ohno, M. Yukimune, R. Fujiwara,Y. Wang, Z. Mi, F. Ishikawa

Micro Nano Conference 2019, December 10-11, 2019, Hiroshima, Japan.

(P-16) Controlling Diamond Properties by Ion Implantation and High Pressure and High Temperature Treatment

Rei Fukuta, Yohei Murakami, Fumitaro Ishikawa, Masafumi Matsushita, Toru Shinmei, Hiroaki Ohfuji, Tetsuo Irifune

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2019, September 24-27, 2019, Kobe, Japan.

(P-11) Growth of Dilute Nitride Core-Multishell Nanowires

Ryo Fujiwara, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2019, September 24-27, 2019, Kobe, Japan.

(O-04) Outermost Native Oxide AlGaOx Shell for GaAs Related Core-Shell Nanowires

Naoki Tsuda, Fumitaro Ishikawa

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, SemiconNano 2019, September 24-27, 2019, Kobe, Japan.

(P2.15) Bi segregation in GaAs/GaAsBi/GaAs core-multishell nanowires

Teruyoshi Matsuda,Kosuke Yano, Satoshi Shimomura, Yumiko Shimizu, Fumitaro Ishikawa

Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.

(M4.2) Polytypism transfer observed in GaAs/GaNAs core-shell nanowires

M. Yukimune, R. Fujiwara, T. Mita, F. Ishikawa

Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.

(P1.26) Molecular beam epitaxial growth of various diluted nitride nanowires

T. Mita, R. Fujiwara, M. Yukimune, R. Tsutsumi, F. Ishikawa

Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.

(P1.29) Synthesis of GaAs/TiO2 composite nanowires

Tomoki Ohno, Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Kazuki Nagashima, Takeshi Yanagida, Fumitaro Ishikawa

Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.

(P1.36) Characteristics of GaAs/AlGaAs core-multishell structures having native oxide AlGaO Outermost shell

R. Tsutsumi, N. Tsuda, B. Zhang, W. M. Chen, I. A Buyanova, F. Ishikawa

Nanowire Week 2019, September 23-27, 2019, Pisa, Italy.

(O13A.3) High temperature and high pressure processing on phosphorous ion implanted diamond

R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, T. Shinmei, H. Ohfuji, T. Irifune

30th international conference on Diamond and carbon materials, September 8-12, 2019, Seville, Spain.

(O8A.3) Tin-implanted diamond treated by high pressure and high temperature

Y. Murakami, R. Fukuta, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Irifune

30th international conference on Diamond and carbon materials, September 8-12, 2019, Seville, Spain.

(P9.078) Direct conversion of diamond from P ion implanted graphite by high pressure and high temperature technique

K. Otsuyama, R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, H. Ohfuji, T. Shinmei, T. Irifune

30th international conference on Diamond and carbon materials, September 8-12, 2019, Seville, Spain.

(D-2-04) GaAs/AlGaAs Core-Multishell Structure Covered by Native oxide AlGaOx

R. Tsutsumi1, N. Tsuda1, F.Ishikawa

2019 international conference on solid state devices and materials SSDM, September 2-5, 2019, Nagoya, Japan

(Tu-2) Bi localization in GaAs/GaAsBi/GaAs heterostructured nanowires

Teruyoshi Matsuda, Kosuke Yano, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa

The 10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 21-24，2019, Toulouse, France.

(MoP-28) Dilute Nitride GaNAs Nanowires for Optoelectronics”Growth of GaAs/GaNAs/GaAs Core-Multishell Nanowires Lasing at 1µm

Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Shula Chen, Mattias Jansson, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

EDISON 21 – The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 14-19，2019, Nara, Japan.

(TuP-28) GaAs/GaAsBi Core-Multishell Nanowires Forming Quantum Confined Structure

Teruyuki Matsuda, Kosuke Yano, Satoshi Shimomura, Fumitaro Ishikawa

EDISON 21 – The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, July 14-19，2019, Nara, Japan.

(WeC1-6) Growth of GaAs/GaNAs/GaAs Core-Multishell Nanowires Lasing at 1µm

Mitsuki Yukimune, Ryo Fujiwara, Fumitaro Ishikawa, Shula Chen, Weimin M. Chen, Irina A. Buyanova

Compound Semiconductor Week 2019, May 19-22，2019, Nara, Japan.

(MoP-A-3) Crystal structures of GaAs/GaNAs core-multishell nanowires

Takaya Mita, Ryo Fujiwara, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa

Compound Semiconductor Week 2019, May 19-23，2019, Nara, Japan.

国内会議

[P2-24] Snイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドのフォトルミネッセンス

福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男

第33回ダイヤモンドシンポジウム, 2019年11月13-15日, 国立大学法人東京工業大学蔵前会館

[3P35] Pイオンを注入したナノ多結晶ダイアモンド合成

福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男

第60回高圧討論会, 2019年10月23-25日, かでる2・7 北海道立道民活動センター

[Th1-7] GaNAsBi heterostructure nanowires showing zincblende and wurtzite related x-ray diffraction peaks

S. Mori, M. Yukimune, R. Fujiwara and F. Ishikawa

38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA

[Th1-24] Direct conversion of P ion implanted graphite to diamond by high pressure and high temperature technique

K. Otsuyama, R. Fukuta, Y. Murakami, F. Ishikawa, M. Matsushita, T. Shinmei, H. Ohfuji and T Irifune

38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA

[Th2-6] Characteristics of GaAs related multi-shell nanowires surrounded by native oxide AlGaOx layer

R. Tsutsumi, N. Tsuda and F. Ishikawa

38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA

[Th2-17] Photoanode measurement of GaAs nanowires grown on silicon substrates

T. Ohno, M. Yukimune, R. Fujiwara, Y. Wang, Z. Mi and F. Ishikawa

38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA

[Fr2-5] MBE growth of AlGaAs superlattice for photocathode

I. Morita, F. Ishikawa, T. Nishitani and M. Tabuchi

38th Electronic Materials Symposium EMS-38, 2019年10月9-10日, THE KASHIWARA

[20p-E312-9] Pイオン注入した高温高圧処理ダイヤモンドの表面近傍元素分布

東浦健人, 福田玲, 村上洋平, 石川史太郎, 松下正史, 新名亨, 大藤弘明, 入舩徹男