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Resistive Switching Memory Devices Based on 2D, Quasi-2D and 3D Halide Perovskites
Synthesis of 2D, Quasi-2D and 3D Halide Perovskites
Fabrication of memory devices based on halide perovskites
Investigation of opto-electronic characteristics of memory devices based on halide perovskites
현재 IT 산업의 발전과 함께 고성능, 고용량, 고밀도 저장매체의 필요성이 대두되고 있으며, 그에 따라 DRAM, flash memory 등 기존 메모리 소자의 한계를 극복할 새로운 메모리 소자 기술에 대한 관심이 빠르게 증가하고 있습니다. 본 연구실에서는 그 중 높은 엔듀런스와 온오프 저항비, 높은 스위칭 속도, 낮은 전력 소모 등 다양한 장점을 가진 저항변화 메모리(ReRAM) 소자, 특히 전기적 특성을 다양하게 제어할 수 있는 할라이드 페로브스카이트 기반의 저항변화 메모리 소자에 관해 연구하고 있습니다.
Acc. Mater. Res. 2022, 3, 1, 8-20
Field-Effect Transistors Based on 2D, Quasi-2D and 3D Halide Perovskites
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