Neuromorphic devices are cutting-edge semiconductor devices that process data inspired by the neuronal synapse structures of human brain. Unlike conventional digital computing, which relies on sequential data operations between central processing units and memory units, neuromorphic semiconductor devices mimic the brain's parallel and distributed processing to quickly process large amount of data, making them a key part of the future Fourth Industrial Revolution.

In our lab, we are conducting research on next-generation semiconductor devices for neuromorphic computing with our fundamental understanding and insights into semiconducting materials.

뉴로모픽 소자는 인간 두뇌의 뉴런-시냅스 구조에서 영감을 받아 데이터를 처리하는 최첨단 반도체 소자입니다. 중앙 처리 장치와 메모리 장치 사이의 순차적인 데이터 연산에 의존하는 기존의 디지털 컴퓨팅과 달리 뇌의 병렬 처리와 분산 처리를 모방하여 다수의 데이터를 신속하게 처리할 수 있기에 미래 4차 산업 혁명의 핵심인 지능형 반도체 소자로 주목받고 있습니다.

우리 연구실에서는 다양한 반도체 재료를 활용하여 우수한 성능을 지닌 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 차세대 반도체 소자에 관한 연구를 수행하고 있습니다.

Inter-/ surface engineering deals with the interaction between materials and materials or between materials and the external environment. In electronic devices, including semiconductors, inter-/ surface engineering directly affects device properties such as electron mobility and stability, so even devices fabricated using the same materials can exhibit significant performance differences depending on whether inter-/ surface engineering is applied.

In our lab, we conducting research to control the properties of semiconductor substrate surfaces or semiconducting material interfaces to modulate various properties and fabricate high-performance and reliable semiconductor devices.

계면 및 표면 공학은 소재와 소재 사이 혹은 소재와 외부 환경 사이의 상호작용을 다룹니다. 반도체를 포함한 전자 장치에서 계면 및 표면 처리는 전자 이동도와 안정성과 같은 소자 특성에 직접적인 영향을 미치므로 같은 소재를 사용하여 소자를 제작하더라도 계면 및 표면 공학 적용 여부에 따라 큰 성능 차이를 보입니다.

우리 연구실에서는 반도체 기판 표면이나 반도체 재료 계면의 특성을 제어하여 다양한 특성을 변조하고 고성능의 신뢰할 수 있는 반도체 소자를 제작하기 위한 연구를 수행하고 있습니다.

A molecular design of nanomaterials, such as carbon nanotubes (CNTs), perovskites, and transition metal chalcogenides (TMDs), as well as organic and inorganic materials, has gained significant attention in recent years. These materials are being studied across various fields due to their unique properties. As material science advances, there is growing anticipation for high-performance semiconductors with broader applications, surpassing the limitations of traditional semiconducting materials.

In our lab, we are conducting research that can contribute to the development of next-generation semiconductor technology by inducing structural modification of semiconducting materials or investigating the relationship between semiconducting materials and electrical properties of devices.

최근 유기 및 무기 재료 외에도 탄소나노튜브 (CNT), 페로브스카이트, 전이금속 칼코젠화합물 (TMDs)등 다양한 나노 소재가 새롭게 등장하였으며 그 고유한 특성에 따라 다양한 분야에서 연구되고 있습니다. 소재의 발전에 따라 기존의 반도체 재료가 가지는 한계를 극복하고 높은 성능과 넓은 응용분야를 가진 반도체에 대한 기대 역시 증가하고 있습니다.

우리 연구실에서는 반도체 재료의 구조적 변형을 유도하거나 반도체 재료와 소자의 전기적 특성 사이의 관계를 조사하여 차세대 반도체 기술 발전에 기여할 수 있는 연구를 수행하고 있습니다.