Neuromorphic devices are cutting-edge semiconductor devices that process data inspired by the neuronal synapse structures of human brain. Unlike conventional digital computing, which relies on sequential data operations between central processing units and memory units, neuromorphic semiconductor devices mimic the brain's parallel and distributed processing to quickly process large amount of data, making them a key part of the future Fourth Industrial Revolution.

In our lab, we are conducting research on next-generation semiconductor devices for neuromorphic computing with our fundamental understanding and insights into semiconducting materials.

뉴로모픽 소자는 인간 두뇌의 뉴런-시냅스 구조에서 영감을 받아 데이터를 처리하는 최첨단 반도체 소자입니다. 중앙 처리 장치와 메모리 장치 사이의 순차적인 데이터 연산에 의존하는 기존의 디지털 컴퓨팅과 달리 뇌의 병렬 처리와 분산 처리를 모방하여 다수의 데이터를 신속하게 처리할 수 있기에 미래 4차 산업 혁명의 핵심인 지능형 반도체 소자로 주목받고 있습니다.

우리 연구실에서는 다양한 반도체 재료를 활용하여 우수한 성능을 지닌 뉴로모픽 컴퓨팅을 위한 차세대 반도체 소자에 관한 연구를 수행하고 있습니다.

Iontronics deals with the control of electronic devices using mobile ions. Under an electric field, ions can accumulate at device interfaces or move into semiconductor layers, directly changing charge transport, electrochemical doping, and memory retention. Iontronics can be applied to a wide range of electronic materials, including both organic and inorganic semiconductors, and can be used to enhance device performance, stability, and functionality. 

In our lab, we conduct research to regulate ion transport, ion retention, and ion–semiconductor interactions through electrolyte design, including control of inter-ion interactions, interfacial ion ordering and polarization effects, and ion–polymer interactions. Through this approach, we aim to develop high-performance and reliable semiconductor electronic devices.

이온트로닉스는 이동성 이온을 이용해 전자소자의 특성을 제어하는 분야입니다. 전기장이 가해지면 이온은 소자 계면에 축적되거나 반도체 내부로 이동하며, 이 과정에서 전하 수송, 전기화학적 도핑, 메모리 유지 특성이 변화합니다. 이온트로닉스는 유기 및 무기 반도체를 포함한 다양한 전자 소재에 적용 가능하며, 소자의 성능, 안정성, 기능을 향상시키는 데 활용될 수 있습니다. 

우리 연구실에서는 전해질 설계를 기반으로 이온 간 상호작용 제어, 계면 이온 배열 및 분극 효과 조절, 이온–고분자 상호작용 제어를 통해 이온 수송, 이온 유지, 이온–반도체 상호작용을 조절하고, 고성능·고신뢰성 반도체 전자소자를 개발하기 위한 연구를 수행하고 있습니다.

A molecular design of nanomaterials, such as carbon nanotubes (CNTs), perovskites, and transition metal chalcogenides (TMDs), as well as organic and inorganic materials, has gained significant attention in recent years. These materials are being studied across various fields due to their unique properties. As material science advances, there is growing anticipation for high-performance semiconductors with broader applications, surpassing the limitations of traditional semiconducting materials.

In our lab, we are conducting research that can contribute to the development of next-generation semiconductor technology by inducing structural modification of semiconducting materials or investigating the relationship between semiconducting materials and electrical properties of devices.

최근 유기 및 무기 재료 외에도 탄소나노튜브 (CNT), 페로브스카이트, 전이금속 칼코젠화합물 (TMDs)등 다양한 나노 소재가 새롭게 등장하였으며 그 고유한 특성에 따라 다양한 분야에서 연구되고 있습니다. 소재의 발전에 따라 기존의 반도체 재료가 가지는 한계를 극복하고 높은 성능과 넓은 응용분야를 가진 반도체에 대한 기대 역시 증가하고 있습니다.

우리 연구실에서는 반도체 재료의 구조적 변형을 유도하거나 반도체 재료와 소자의 전기적 특성 사이의 관계를 조사하여 차세대 반도체 기술 발전에 기여할 수 있는 연구를 수행하고 있습니다.