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“부성 미분 전달 컨덕턴스 특성을 갖는 반도체 소자 및 그의 제조 방법”, 대한민국, 2021 (10-2229424-0000) 등록 (2021.03.12)
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“실리콘 함량을 조절하여 제작된 박막 트랜지스터를 이용한 인버터 및 그 제조방법”, 대한민국, 2018 (10-2018-0112371) 출원 (2018.09.19)
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“다층 비정질 실리콘 산화인듐아연막 구조를 이용한 플렉시블 열방사 방지막”, 대한민국, 2017, (10-2017-0089594) 출원(2017.07.14)
“적층구조를 갖는 투명전극용 메시 및 그 제조방법”, 대한민국, 2016, (10-2016-0140155) 출원(2016.10.26)
“다층 비정질 실리콘 산화인듐막 구조를 이용한 열 방사 방지막”, 대한민국, 2016, (10-2016-0140656) 출원(2016.10.27)
“다층 비정질 산화인듐갈륨아연막 구조를 이용한 전방사 필음 및 그 제조방법”, 대한민국, 2016, (10-2016-0026858) 출원(2016.03.07) 등록(2017.11.29)
“투명 터치패널 제조를 위한 레이저 리프트오프 공정용 비정질산화물 희생층 구조 및 그 제조방법”, 대한민국, 2016, (10-2016-0026859) 출원 (2016. 03.07)
실리콘 산화아연주석 박막을 이용한 박막 트랜지스터”,대한민국,2013, (10-2013-0014438), 출원 (2013.02.08), 등록 ( 2014.09.22)
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“다층 비정질 실리콘 산화아연주석막 구조를 이용한 열 방사 방지막”, 대한민국, 2012, (10-2012-0114110), 출원 (2012.10.15)
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“금속 산화물 나노선을 갖는 인버터 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2011, (10-2011-0027648), 출원 (2011. 03.28)
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“실리콘을 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터”, 대한민국, 2010, (10-2010-0052976), 출원 (2010.06.04)
“상호 도핑된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009,(10-2009-0128764), 출원 (2009.12.22), 1097203, 등록 (2011.12.15) ※
“듀얼 전극 구조를 적용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009, (10-2009-0126122), 출원 (2009. 12. 17)
“은이 도핑된 산화아연 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009, (10-2009-0113347), 출원 (2009.11.23), 1088367, 등록(2011.11.24) ※
“매설층을 갖는 박막트랜지스터 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009, (10-2009-0105417), 출원 (2009.11.03), 1088366, 등록(2011.11.24) ※
“은 및 Ⅲ족 원소에 의한 상호 도핑된 산화아연계 박막의 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 박막”, 대한민국, 출원(2009.10.29), 2011, (1040138), 등록 (2011. 06. 02) ※
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“은이 도핑된 산화아연 나노선을 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009, 10-2009-0085229, 출원(2009.09.10), 1076690, 등록 (2011.10.19) ※
“은이 도핑된 나노선, 이를 포함하는 소자 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009, (10-2009-0050409), 출원. (2009.06.08)
“은 및 Ⅲ족 원소에 의해 코도핑된 나노선, 그 제조 장치 및 방법”, 대한민국, 2009, (10-2009-0050410), 출원. (2011.12.02), (1091609), 등록(2011.12.02) ※
“물리적 합성 방식을 이용한 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법”, 대한민국, 2009, (10-2009-0050419), 출원 ('2009.06.08)
“유전체 장벽 방전을 이용한 펄스 레이저 증착장치 및 방법 그리고 이에 의해 형성된 금속 산화물 박막”, 대한민국, 2008, 출원(10-2008-0067793), 등록(1009990130000)※.
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