このページでは 東京理科大学 先進工学部 マテリアル創成工学科  小林篤の研究業績等を紹介しています。

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• [論文 2023-06-05] 高濃度Siドーピングn型AlGaNに関する共著論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
  Preparation of degenerate n-type AlxGa1−xN (0 < x ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition
  Y. Nishikawa, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka
  Applied Physics Letters 122, 232102 (2023).
  DOI: 10.1063/5.0144418

• [2023-04-01] 東京理科大学先進工学部マテリアル創成工学科に着任しました。

• [論文 2023-02-21] SnをドーピングしたGaNの特性に関する共著論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
  Positive impurity size effect in degenerate Sn-doped GaN prepared by pulsed sputtering
  Y. Nishikawa, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka
  Applied Physics Letters 122, 082102 (2023).
  DOI: 10.1063/5.0118126

• [招待講演 2023-01-30] SPIE Photonics West 2023 - Gallium Nitride Materials and Devices XVIII (Conference 12421), San Francisco で招待講演を行います。
  Epitaxial growth of NbN superconductors on lattice-matched AlN wide-bandgap semiconductors (Invited Paper)
  Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, The Univ. of Tokyo (Japan)

• [論文 2023-01-12] スパッタ法で作製したN極性n型GaNの特性に関する共著論文がApplied Physics Expressに掲載されました。
  Electrical properties of N-polar Si-doped GaN prepared by pulsed sputtering
  K. Ueno, Y. Masuda, A. Kobayashi, H. Fujioka
  Applied Physics Express 16, 011002 (2023).
  DOI: 10.35848/1882-0786/acb2b1

• [招待講演 2023-01-12] 日本学術振興会第R032委員会 第10回研究会で招待講演を行いました。

• [論文 2023-01-09] NbNをもちいたAlNの極性反転構造作製に関する論文がACS Applied Electronic Materialsに掲載されました。
  Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN
  A. Kobayashi, S. Kihira, T. Akiyama, T. Kawamura, T. Maeda, K. Ueno, H. Fujioka
  ACS Applied Electronic Materials 5, 240 (2023).
  DOI: 10.1021/acsaelm.2c01288

• [論文 2022-12-07] p型GaNへのショットキー障壁エンジニアリングに関する共著論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
  Schottky barrier height engineering in vertical p-type GaN Schottky barrier diodes for high-temperature operation up to 800 K
  K. Aoyama,  K. Ueno,  A. Kobayashi, H. Fujioka
  Applied Physics Letters 121, 232103 (2022).
  DOI: 10.1063/5.0123299 

• [論文 2022-09-21] NbNの結晶構造制御に関する論文がAdvanced Materials Interfacesに掲載されました。
  Crystal-Phase Controlled Epitaxial Growth of NbNx Superconductors on Wide-Bandgap AlN Semiconductors
  A. Kobayashi, S. Kihira, T. Takeda, M. Kobayashi, T. Harada, K. Ueno, H. Fujioka
  Advanced Materials Interfaces 2201244 (2022).
  DOI: 10.1002/admi.202201244
  東京大学生産技術研究所と工学系研究科からプレスリリースしました。プレスリリース1, 2
  また、Advanced Materials InterfacesのBack Coverにも採用されました。

• [寄稿 2022-09-14] 応用物理(2022年7月号)「研究紹介」の記事が翻訳され、JSAP Review に掲載されました。
  Epitaxial growth of superconducting NbN on wide-bandgap AlN
  A. Kobayashi,  K. Ueno, H. Fujioka, JSAP Reiew, 220408 (2022).
  DOI: 10.11470/jsaprev.220408

• [寄稿 2022-07-01] 応用物理(2022年7月号)「研究紹介」に寄稿しました。

• [論文 2022-1-28] 高濃度SiドープGaNコンタクトを利用したAlGaN HEMTに関する共著論文がApplied Physics Expressに掲載されました。
  AlN/Al0.5Ga0.5N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering
  R. Maeda, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka, Applied Physics Express  15, 031002 (2022).
  DOI: 10.35848/1882-0786/ac4fcf

• [論文 2022-1-11] NbNの単結晶領域を拡大させる成長手法に関する論文がCrystal Growth & Designに掲載されました。また、Supplementary Cover Artとしても掲載されました。
  Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN
  S. Kihira, A. Kobayashi, K. Ueno, H. Fujioka,  Crystal Growth & Design 22, 1720 (2022).
  DOI: 10.1021/acs.cgd.1c01287

• [招待講演 2022-01-12] IWSingularity 2022で招待講演を行いました。

• [寄稿 2021-09-18] 月刊「化学」2021年10月号＜注目の論文＞に寄稿しました。 

• [招待講演 2021-08-23] 応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会で招待講演（特別講演）を行いました。

• [論文 2021-7-29] 超伝導NbN極薄膜の特性評価に関する論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました。
  Ultrathin rock-salt type NbN films grown on atomically flat AlN/sapphire substrates
  A. Kobayashi, K. Ueno, H. Fujioka,  Journal of Crystal Growth 572, 126269 (2021).
  DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126269

• [論文 2021-6-29] スパッタ法で作製したAlNの電子移動度に関する共著論文がPhysica Status Solidi Aに掲載されました。
  High Electron Mobility AlN on Sapphire (0001) with a Low Dislocation Density Prepared via Sputtering and High-Temperature Annealing
  Y. Sakurai, K. Ueno, A. Kobayashi, K. Uesugi, H. Miyake, H. Fujioka, Physics Status Solidi A, Early View.
  DOI: 10.1002/pssa.202100074

• [論文 2021-5-7] 半極性面GaNへの高濃度Siドーピングに関する共著論文がApplied Physics Expressに掲載されました。
  Pulsed sputtering growth of heavily Si-doped GaN (20-21) for tunneling junction contacts on semipolar InGaN (20-21) LEDs
  S. Morikawa, K. Ueno, A. Kobayashi, H. Fujioka, Applied Physics Express 14, 051011 (2021).
  DOI: 10.35848/1882-0786/abf669

•  [研究助成 2021-4-1] 科学研究費助成事業 基盤研究(B) に採択されました。

•  [研究助成 2021-4-1] 池谷科学技術振興財団 2021年度研究助成に採択されました。

•  [研究助成 2021-4-1] 日本板硝子材料工学助成会 令和3年度(第43回)研究助成に採択されました。

• [講演 2021-03-19] 第68回応用物理学会春季学術講演会で口頭発表を行いました。

• [招待講演 2021-03-08] ISPlasma2021/IC-PLANTS2021で招待講演を行いました。

• [講演 2021-03-01] The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)で口頭発表を行います。

• [論文 2021-2-17] トンネルダイオードを利用した紫外線LEDの共著論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
  Heavily Si-doped pulsed sputtering deposited GaN for tunneling junction contacts in UV-A light emitting diodes
  T. Fudetani,  K. Ueno,  A. Kobayashi,  H. Fujioka, Applied Physics Letters 118, 072101 (2021).
  DOI: 10.1063/5.0040500

• [論文 2021-1-13]  縦型p型GaNショットキーダイオードの共著論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
  Vertical p-type GaN Schottky barrier diodes with nearly ideal thermionic emission characteristics
  K. Ueno, K. Shibahara, A. Kobayashi, H. Fujioka, Applied Physics Letters 118, 022102 (2021).
  DOI: 10.1063/5.0036093

• [論文 2020-12-15]  AlN上に作製した極薄膜InNトランジスタの共著論文がAIP Advancesに掲載されました。
  Growth of InN ultrathin films on AlN for the application to field-effect transistors
  D. Jeong, A. Kobayashi,  K. Ueno, H. Fujioka, AIP Advances 10, 125221 (2020).
  DOI: 10.1063/5.0035203

• [論文 2020-12-07]  AlN上に自己組織的に形成されるNbNナノ構造に関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。
  Autonomous growth of NbN nanostructures on atomically flat AlN surfaces
  A. Kobayashi,  K. Ueno, H. Fujioka, Applied Physics Letters 117, 231601 (2020).
  DOI: 10.1063/5.0031604

•  [研究助成 2020-7-17]  村田学術振興財団2020年度研究助成に採択されました。

• [論文 2020-5-7]  窒化物半導体AlN上に作製した超伝導体NbN極薄膜の特性に関する論文がApplied Physics Expressに掲載されました。
  Coherent epitaxial growth of superconducting NbN ultrathin films on AlN by sputtering
  A. Kobayashi, K. Ueno, H. Fujioka, Applied Physics Express 13, 061006 (2020). OPEN ACCESS
  DOI: 10.35848/1882-0786/ab916e