Research (연구분야)

1. 질화물계 원격에피택시와 응력층 기반 화합물 반도체  분리/전사 기술 개발 

• MOCVD 기반 질화물계 원격에피택시(remote epitaxy)와 응력층 기반 단결정 화합물 반도체 분리(layer-resolved spalling) 및 전사 기술을 이용한 

3차원 이종집적 기술(Monolithic 3D Integration) 연구

• 관련 수행과제

- 글로벌산업기술협력센터(NCC) 사업: 원격에피택시 기반의 GaN 멤브레인 소재 및 전력반도체 고도화(SWaP-C) 기반기술 개발 (산업통상부)

- 민관공동투자반도체 고급인력양성사업: 실리콘-화합물(Si-GaN) 융합 반도체 기반 핵심소자 구현 기술 개발 (산업통상부)

- 한국전자통신연구원 미래원천 창의전문연구실 위탁과제: Wafer-level GaN 정밀분리 및 전사기술 (과학기술정보통신부)

2. GaN RF HEMT 소자 공정 및 특성/신뢰성 특성 평가 연구 

• 차량용 반도체, 6G 통신용 증폭기 응용을 위한 고속/고출력 GaN HEMT 

• 전력반도체 소자 공정기술 개발 및 특성/신뢰성 평가 기술 연구 

• 관련 수행과제

- 4W/mm 전력밀도/C-band RF 소자용 GaN on SiC 에피웨이퍼 성장 기술 개발 (중소벤처기업부)

- 8인치 1200V급 GaN on Si 에피웨이퍼 제조 기술개발 및 HEMT 소자 적용 검증 (중소벤처기업부)

- X-대역(8 ~ 12 GHz) 전력증폭소자용 AlN 기반 GaN Epi-Wafer 개발 (엘앤디전자㈜)

3. Sub-10nm technology에 적용가능한 FinFET/GAAFET 구조에서 금속-반도체
컨택 저항 model 개발 

• FinFET/GAAFET 등 3D 구조를 갖는 반도체에서 구조 및 크기 변화에 따른 컨택 저항 변화를 파악하기 위해 S/D의 기하학적 형태를 반영하여 컨택 특성을 정밀하게 평가하고 정확한 컨택 저항 추출을 가능하게 하는 새로운 컨택 저항 model을 개발하는 연구 수행 

4. Ohmic contact 특성 평가 방법 개발 및 응용

• 금속과 접합된 반도체 영역의 전기적 특성 변화를 모니터링할 수 있는 측정 기법 개발 및 이를 기반으로 정확한 컨택 파라미터를 도출할 수 있는 컨택 특성 평가 개발을 위한 연구 수행 

• 관련 수행과제

- 글로벌산업기술협력센터(NCC) 사업: 원격에피택시 기반의 GaN 멤브레인 소재 및 전력반도체 고도화(SWaP-C) 기반기술 개발 (산업통상부)

- 4W/mm 전력밀도/C-band RF 소자용 GaN on SiC 에피웨이퍼 성장 기술 개발 (중소벤처기업부)

- 8인치 1200V급 GaN on Si 에피웨이퍼 제조 기술개발 및 HEMT 소자 적용 검증 (중소벤처기업부)

5.  혈액 내 sEV 고순도 분리 및 sEV 바이오마커 고감도 분석을 위한 DEP-ELISA 기술 

• 엑소좀 분리/분석을 한 칩에서 연속적으로 수행하여 다파장 ELISA 센서 모듈을 통해 암종별 특이적 바이오마커를 분석하여 암종 및 암 병기 판별 연구수행 

6.  sEV  물리량 평가를 통한 암 진단 기술 개발 

• sEV의 산란광을 기반하여 개별 입자 크기 및 zeta 전위를 분석 하여 EVs의 물리량과 모세포 정보와의 상관관계 도출하기 위한 연구 수행