SDIL 연구실 대학원생 모집
대학원 진학과 연구실 국책/기업체 과제 참여에 관심있는 학생은 아래 연락처로 연락 주시길 바랍니다.
- 2025년 9월 입학, 2026년 3월 입학 석사/석박통합/박사과정 대학원생 모집 (IT대학 전자공학부, 반도체학과)
- 2025년 여름방학~2학기에 연구실 과제에 참여할 학부연구생 모집 중 (학부 4학년 대상, 인원: 1명)
- 한국전자통신연구원(ETRI) 학연연구원(석사과정) 1명, ETRI 동계 인턴연구원(학부생) 1명 모집 중
본 연구실은 미국 MIT대, 한국전자통신연구원(ETRI), 한국과학기술연구원(KIST)와 함께 ‘글로벌산업기술협력센터’로 선정되었음
(산업통산자원부, 연 20억원 연구비 지원 (2024년~2028년))
- 본 사업 지원을 통해 ETRI, MIT와의 공동연구를 위한 연구원 파견 프로그램 수행할 예정 (2025년 하반기 선발 예정)
- (참고) ETRI와 KIST는 각각 국내 최대 규모의 전자통신 분야와 기초과학기술 분야 정부출연연구소임
본 연구실은 한국전자통신연구원(ETRI)과 함께 ‘한연협력 플랫폼 사업’에 선정되었음 (과학기술정보통신부, 0.8억원 연구비 지원 (2025년))
- ETRI와의 공동연구를 위한 KNU-ETRI UNI-CORE랩 운영 예정 (경북대 대학원생과 ETRI 연구원 인력교류 및 공동연구)
- ETRI 연구원들(JA professor로 참여하여 대학원/학부생 공동 교육)과 공동연구
- 학연연구원(석사과정) 1~2명을 ETRI 위촉연구원으로 선발하고 ETRI와 경북대에서 연구 병행할 예정
[연락처 및 연구실 위치]
- 박홍식 교수 e-mail: hpark@ee.knu.ac.kr
- 연구실 위치: IT대학 3호관 305호 (교수 연구실), 306호(대학원생 연구실)
- 전화: 053-950-5519 (또는 053-940-8819)
[연구실 연구 분야]
1. 고출력 전력/통신용 화합물반도체 소자 기술 및 실리콘 소자와의 이종집적(heterogeneous integration) 기술 개발
- MOCVD 기반 GaN/AlGaN 원격에피택시(remote epitaxy) 기술과 단결정 화합물 반도체 분리(layer-resolved spalling) 및 전사 기술을 이용한 반도체 이종집적 기술 개발
2. 전력용/통신용 GaN/AlGaN HEMT 소자 공정 기술 개발 및 특성/신뢰성 분석 연구
- 차량용 전력 반도체, 6G 통신용 증폭기 응용을 위한 고속/고출력 GaN HEMT 소자 설계 및 공정 개발
- MOCVD 공정을 이용한 고출력 전력용/통신용 GaN/AlGaN HEMT 에피 성장 기술 연구
- 전력반도체 및 RF HEMT 소자 특성/신뢰성 평가 기술 연구
3. 반도체 transistor(FinFET, GAA-FET, HEMT) source/drain electrical contact 기술 개발
- FinFET/NSFET 등 3D 구조를 갖는 반도체에서 구조 및 크기 변화에 따른 컨택 저항 변화를 파악하기 위해 raised S/D 구조의 기하학적 형태를 반영하여 컨택 특성을 정밀하게 평가하고 정확한 컨택 저항 추출을 가능하게 하는 새로운 컨택 저항 model을 개발하는 연구 수행
- 전력반도체 소자 공정 기술 개발 및 특성/신뢰성 평가 기술 연구
- 금속과 접합된 반도체 영역의 전기적 특성 변화를 모니터링할 수 있는 측정 기법 개발 및 이를 기반으로 정확한 컨택 파라미터를 도출할 수 있는 컨택 특성 평가 개발을 위한 연구 수행
5. 반도체 및 센서 기술을 이용한 질병 조기진단 소자 및 플랫폼 개발
- Scattered-light 기반 개별 엑소좀 물리량(크기,제타전위,표면전하밀도) 분석 하여 엑소좀 물리량 및 모세포 정보 상관관계 도출을 통한 암 진단 연구 수행
- 엑소좀 분리/분석을 한 칩에 연속적으로 수행하여 다파장 ELISA 센서 모듈을 통해 암종별 특이적 바이오마커 분석하여 암종 및 암 병기 판별 연구수행
[연구실 수행 국책/기업체 과제]
- 기판 재사용이 가능한 2차원 분리막 기반의 원격에피택시 기술을 통한 고품질 질화물계 멤브레인 제작 원천 기술 연구 (한국연구재단)
- 기초연구실 지원 사업: 원격에피택시 기반 차세대 반도체 이종집적 기술 연구실 (한국연구재단)
- 민관공동투자반도체 고급인력양성사업: 실리콘-화합물(Si-GaN) 융합 반도체 기반 핵심소자 구현 기술 개발 (한국산업기술평가관리원)
- 한국전자통신연구원 미래원천 창의전문연구실 위탁과제: Wafer-level GaN 정밀분리 및 전사기술
- X-대역(8 ~ 12 GHz) 전력증폭소자용 AlN 기반 GaN Epi-Wafer 개발 (엘앤디전자㈜)
- GaN on Si 에피웨이퍼 특성평가를 위한 Au-free Ohmic 공정 개발 (에이프로세미콘㈜)
- 금속전극과 low-dimensional(2D/1D)반도체 contact 저항 최소화를 위한 contact 재료/구조 개발 및 2D/1D반도체 electrical contact model 개발 (삼성전자(주) DS부문)