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Este amplificador consta de dos etapas, un excitador conformado por el transistor Q1 y sus componentes asociados que opera en Clase A y una etapa de salida basado en un MOSFET de potencia IRF510 operando en Clase D. Su potencia final es de 5W cuando es excitado con 10mW (2Vp-p sobre 50Ω).
Los detalles de componentes y ajuste están en el diagrama siendo importante remarcar que la tensión de compuerta (VGS) de Q2 (sin señal de entrada) debe ser aproximadamente 4V asegurando que no haya corriente de Drenaje (ID).
El filtro pasa-bajos es del tipo conocido como Media-Onda cuya característica ofrece 25dB de atenuación en la segunda armónica para los filtros de 5to orden.
Su diseño es muy sencillo y parte de la siguiente premisa:
Rent = Rsal = XC = XL = 50Ω
por lo que:
L = XL / 2 * Pi * fc
C = 1 / 2 * Pi * fc * XC
El capacitor central (C14 en el diagrama) debe ser igual al doble de C ( XC=25Ω).
La siguiente fotografía muestra el amplificador finalizado, el mismo fue construido usando la técnica conocida como "Dead-Bug" o "Ugly".
Click en la imagen para ampliar.
Referencias
Experimental Methods in RF Design ( Weis Hayward W7ZOI y otros - Publicado por ARRL)
The handiman's guide to MOSFET "Switched Mode" Amplifiers - http://www.aoc.nrao.edu/~pharden/hobby/_ClassDEF1.pdf
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