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工事中
PLD １号機 (自作、主要パーツはパスカル製)
レーザ加熱: (Tsub: Max 1300℃)
ターゲットx6 ツイスト機能付
RHEED (電子銃はVP製、画像解析ソフトはKSA)
L. L.機構（自作3連サンプル）
成膜プログラムなし
半導体レーザによる基板加熱
本装置では、半導体レーザを用いて基板を裏面加熱して成長温度を制御している。ランプ加熱（Tsub ≤ 850ºでC)は不可能な高温環境での薄膜成長が可能である。通常の半導体レーザ加熱を持つPLD装置では基板温度の上限を1000ºCとする場合が多いが、本装置では最高1300ºCまで安定して基板温度を上昇させることができる。
L.L. 機構について
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