我們的磊晶方法是採用物理性濺鍍,俗稱真空濺鍍,是利用電場將工作氣體解離後產生電漿,並且加速撞擊靶材後,將靶材上的材料濺射到基板上,透過適當的技術與設備,能夠產生良好的薄膜化學反應及高品質的磊晶薄膜。
濺鍍磊晶技術,透過電漿撞擊靶材後產生的濺射效果,使得材料噴射的角度幾乎為常數,因此透過適當的工作距離、靶材與基板的相對位置、基板的旋轉等參數,能夠在8-12吋晶圓尺寸得到均勻的薄膜厚度,晶圓中心與邊緣的薄膜厚度誤差為1%