電晶體的三種工作模式

一、截止模式（Cut-Off）：VBE、VBC均為逆偏。此時IB = 0，IC亦為0，VCE(cut-off) = Vcc（註：VCE代表集極C-射極E兩端點間的電壓）。Vcc為集極C-射極E外部迴路的工作電壓，若以開關的角度視之，由於VCE = Vcc，則此時為「Open」狀態。

二、主動模式（Active）：VBE順偏、VBC逆偏。此時IC = βIB，電晶體工作於線性放大區，IC受控於IB，BJT可當成一訊號放大器。

三、飽和模式（Saturation）：VBE 及VBC均為順偏。連續提升IB值令使受控之IC到達一個最大的上限值，當此之時，續增IB已無法令IC再增其值，且說此BJT已達飽和狀態，現時之IC記為IC(sat)。一般來說，VCE(sat) = 0.2V，比之於Vcc（集極C-射極E外部迴路的工作電壓）可忽略也，故視VCE ≈ 0V。若以開關的角度思之，由於VCE = 0，此即為「Close」狀態。

四、BJT由主動模式進入飽和模式的關鍵在於VBC是否為順偏。因為當VBE順偏且VBC逆偏時尚處於主動狀態（工作於線性放大區）；倘若能降低VC（非Vcc，而是BJT的集極C端點電壓）致使VBC為順偏時，則開始進入飽和狀態。常態來說，VC降至低於VB（基極B端點電壓）約0.4V時（也就是VBC = 0.4V），BJT進入飽和臨界，此時VCE(sat) = 0.3V（∵ VCE = VBE – VBC = 0.7 – 0.4 = 0.3）；若再續降VC致使VBC = 0.5V（也就是VCE(sat) = 0.2V），則BJT到達了一般飽和狀態；依此續降VC直至VCE(sat) = 0.1V，則BJT進入深度飽和。