完璧に欠陥のない結晶というのはほぼ存在しません.ダイヤモンドも多くの欠陥を含んでいて,そのせいで半導体特性が悪化します.特に半導体と絶縁体との界面での物理現象が重要です.
界面で何が起こっているか?電気的に悪化してしまう原因となる欠陥とはどういうものか?どうやったら減らせるか?を課題として,研究しています.
共同研究:奈良先端科学技術大学院大学
軽量で熱伝導率の高いグラファイト基板上にダイヤモンドを積層させた高性能ヒートシンク材料の開発に取り組んでいます.
共同研究:企業2社
ダイヤモンドを使って,トランジスタなど電子素子のより良い特性を出すことを目的に研究しています.
共同研究:奈良先端科学技術大学院大学
エレクトロニクスマテリアル共同実験室
ダイヤモンドCVD
酸化物スパッタ(メンテ中)
ドラフト
ユーティリティ(超純水製造装置、窒素ガス発生装置、水素ガス発生装置、チラー)
他研究室保有共同利用装置: FT-IR、 UV-Vis、 光学顕微鏡、蒸着装置、スパッタコーター
先進デバイス材料工学実験室
グリーンレーザー、ドラフト、スクリーンプリント装置、プローバー