Автобіографія

Даньків Олеся Омелянівна народилася 20 лютого 1980 року в м. Дрогобичі Львівської області. У 1997 році вступила на фізико-математичний факультет Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка, який закінчила у 2002 році, отримавши диплом спеціаліста з відзнакою за спеціальністю "Педагогіка і методика середньої освіти. Фізика та інформатика". У 2003 році, після завершення навчання у магістратурі Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка, отримала повну вищу освіту за спеціальністю "Педагогіка і методика середньої освіти. Фізика" та здобула кваліфікацію магістра педагогічної освіти, викладача фізики (диплом магістра з відзнакою ВК №23466970). Після завершення навчання в аспірантурі Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка у 2007 році успішно захистила кандидатську дисертацію на тему “Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs” (диплом кандидата фізико-математичних наук ДК №044151). З 2004 до 2007 року працювала на посаді викладача, з 2007 до 2011 року – старшого викладача, а з 2011 року й до сьогодні – на посаді доцента кафедри загальної фізики (з 2022 року – кафедри фізики та інформаційних систем) Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка (атестат доцента 12ДЦ № 030808). 

Автор понад 200 наукових та навчально-методичних праць.

Відповідальний виконавець та виконавець наукових проєктів:

• Формування електронно-діркових переходів у напружених гетеросистемах з самоорганізованими дефектно-деформаційними кластерами (2008 – 2010 рр., номер держреєстрації 0108U000587);

• Теорія струмопереносу через бар’єр Шотткі на основі напружених наногетеросистем арсенід індію – арсенід галію з квантовими точками (2011 – 2013 рр., номер держреєстрації 0111U001019);

• Керування спектром та напрямом випромінювання гетеролазера на квантових точках за допомогою акустичної хвилі (2014 – 2016 рр., номер держреєстрації 0114U002615);

• Вплив акустоелектронної взаємодії на умови формування поверхневої надгратки при лазерному опроміненні GaAs, CdTe (2016 – 2018 рр., номер держреєстрації 0116U004736);

• Формування надгратки адсорбованих атомів у напівпровідниках із структурою цинкової обманки в електричному та механічному полях (2019 – 2021 рр., номер держреєстрації 0119U100667);

• Архітектоніка активних середовищ елементів світловипромінюючих систем: властивості, ієрархічна та інтерфейсна самоорганізація (2020 – 2022 рр., номер держреєстрації 0120U102217);

• Дослідження баричних властивостей квантових точок з багатошаровою оболонкою для біомедичних застосувань з використанням нейромережі (2022 – 2024 рр., номер держреєстрації 0122U000871);

• Біонанокомплекси напівпровідникова квантова точка – протеїн для біомедичних застосувань: синтез, дослідження, характеризація з використанням машинного навчання  (2025 – 2027 рр., номер держреєстрації 0125U001093).