刈谷市の出身。同志社ハリス理化学校卒業後，熊本の英学校教師，東北学院教師を経て京都帝国大学卒業。渡米し，M.I.T. A.A.Noyes 教授の助手を務めた後，東京高等工業学校 (現東京工業大学) 教授，同大資源化学研究所初代所長などを歴任。その間，フェライトやアルミナの発明など日本の工業界の発展に欠かせない数多くの創造的な業績をあげられました。非常に多くの有益な特許を取得されたことから「日本のエジソン」とも称されています。刈谷市名誉市民として，毎年11月の第1日曜日に刈谷市で顕彰祭が開かれています。

詳しい年譜はこちら(加藤科学振興会のページ)。

同志社大学大学院工学研究科修士課程修了。同大学在学中6年間にわたり創研に参加し，加藤先生から直接指導。大学院在学中には「フラッシュメモリ」として知られる不揮発性メモリ素子を発明。修了後，東京電気化学工業(株)(現TDK(株))を経て，(株)半導体エネルギー研究所を1980年設立。2007年には英国Synectics社の「世界の100人の生きている天才」で第58位に選出。加藤先生の教えを実践することで6314件の特許を取得し，2011年にギネス世界一に認定。紫綬褒章受章，同志社大学名誉文化博士，同志社社友。多忙にも関わらず，毎年の創研に参加し，加藤先生の教えを伝えるべく，後進の指導に尽力されています。

詳しい年譜はこちら((株)半導体エネルギー研究所のページ)。