Посада: Доцент кафедри оптики та видавничо-поліграфічної справи
Вчений ступінь: Доктор фізико-математичних наук
Вчене звання: Доцент
Телефон: +38 (068)185-91-20
E-mail: v.skliarchuk@chnu.edu.ua
Чернівецький державний університет, 1978 р., спеціальність "фізика", кваліфікація фізик-викладач фізики.
Чернівецький державний університет, 1993 р., кандидат фізико-математичних наук.
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, 2017 р., диплом доктора ф-м. наук, тема дисертації "ЕЛКТРОННІ ПРОЦЕСИ В КОНТАКТАХ МЕТАЛУ З КАРБІДОМ КРЕМНІЯ ТА ТЕЛУРОВМІСНИМИ СПОЛУКАМИ"
Підвищення кваліфікації:
ЦКБ «РИТМ» (2002 р.)
Інститут матеріалознавства (2007 р.)
Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника (ПНУ) (2015 р.)
Основи електротехніки і радіоелектроніки
Наукові інтереси:
Технологія діодів Шотткі на основі широкозонних напівпровідників. Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси у напівпровідникових бар’єрних структурах. Явище електролюмінісценції в широкозонних напівпровідниках. Гарячі носії в напівпровідниках. Сонячні елементи на основі CdTe тонкоплівкових та монокристалічних структур. Детектори ультрафіолетового випромінювання на основі SiC, ZnO. Детектори інфрачервоного випромінювання на основі HgInTe, HgMnInTe, HgMnTe. Детектори Х- і g- випромінювання на основі CdTe, Cd(Zn)Te, Cd(Mn)Te.
Наукова діяльність:
Автор більше 110 наукових високорейтингових наукових публікацій, індекс Гірша (h index) 16 (кількість цитувань 586). Співавтор 3 монографій (2 закордонних) та 10 патентів.
Науково-дослідні роботи:
Керівник науково-дослідної роботи: «Радіаційностійкі матеріали і фотоприймачі оптичного та іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів телуридів.» Тема 35-810, 2018-2020 рр.
«Удосконалення якості монокристалів (Cd,Zn)Te для цілей детектування гама-випромінювання при кімнатній температурі» http://www.kipt.kharkov.ua/kipt_sites/isspmst/DEPARTMENT_11/1180/en/projects/bnl/ DOE (USA)
Multilateral collaborative project of European Community's Seventh Framework Program “Cooperation across Europe for Cd(Zn)Te based security instruments” (COCAE), Grant No 218000, 2008-2012
Монографії:
V.M. Sklyarchuk, P.M. Fochuk. Механізми проходження темнового струму та вплив електрофізичних та геометричних параметрів кристалів на детектуючі властивості структур Ме/CdMnTe/Ме, Ме/CdZnTe/Ме, Ме/CdTe/Ме. http://e-cat.scilib.chnu.edu.ua/cgi/irbis64r_12/cgiirbis_64.exe?LNG=uk&Z21ID=&I21DBN=SCIENW&P21DBN=SCIENW&S21STN=1&S21REF=5&S21FMT=fullwebr&C21COM=S&S21CNR=10&S21P01=0&S21P02=1&S21P03=A=&S21STR=%D0%A1%D0%BA%D0%BB%D1%8F%D1%80%D1%87%D1%83%D0%BA,%20%D0%92.%20%D0%9C. 3 др.а.
V.A. Gnatyuk, K.S. Zelenska, V.M. Sklyarchuk, W. Pecharapa, T. Aoki, Gamma-ray spectroscopic performance of large-area CdTe-based Schottky diodes, in: G. Laukaitis (eds) Recent Advances in Technology Research and Education. Inter-Academia 2018.Lecture Notes in Networks and Systems (LNNS), Vol. 53, Cham: Springer, 2019, pp. 58-65. (DOI: 10.1007/978-3-319-99834-3_8) https://link.springer.com/chapter/10.1007/978-3-319-99834-3_8 0.5 др.а.
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, V. Pylypko, T. Aoki, Schottky diode detectors with low leakage current at high operating voltage, in: A.R. Varkonyi-Koczy (ed.) Engineering for Sustainable Future. Inter-Academia 2019. Lecture Notes in Networks and Systems, Vol. 101 (2020) 159-167, Cham: Springer. DOI: 10.1007/978-3-030-36841-8_16 https://www.springerprofessional.de/en/schottky-diode-detectors-with-low-leakage-current-at-high-operat/17562630 0,5 др.а.
Alexander Dubolazov, Alexander Ushenko, Igor Panko, Valeriy Sklyarchuk, Yaroslav Struk, Ivan Mikirin, Jun Zheng, V. Tymchuk, "Polarization-holographic phasometry of the layered vector structure of laser object fields of soft matter polycrystalline layers," Proc. SPIE 12938, Sixteenth International Conference on Correlation Optics, 1293820 (5 January 2024);
doi: 10.1117/12.3014689
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Determination of the depletion region thickness in X/γ-ray detectors with a Schottky contact, 2017 Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference (NSS/MIC) (Nov. 2018) 3 pages. (DOI: 10.1109/NSSMIC.2017.8533082) https://ieeexplore.ieee.org/document/8533082
SklyarchukV.M., Gnatyuk, V.A., Pecharapa, W. Low leakage current Ni/CdZnTe/In diodes for X/γ-raydetectors, Nucl. Instr. And Met. In Phys Res, A, A879 (2018)/ P/101-105. https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900217310537
V. Sklyarchuk, V. Gnatyuk, T. Aoki, Hg3In2Te6-based radiation and temperature stable photodetectors, Infrared Sensors, Devices, and Applications VIII, Proceedings of SPIE, Vol. 10766 (Nov. 2018) 7 pages, in press http://spie.org/Publications/Proceedings/Paper/10.1117/12.2322518
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, X. Fang, T. Aoki, Effect of the thickness of CdTe crystals on electrical and detection properties of Cr/CdTe/Au Schottky-diode detectors, Proceedings of SPIE, Vol. 11114, Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXI (Sep. 2019) 111141S-1-7. (DOI: 10.1117/12.2529965) https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/11114/111141S/Effect-of-the-thickness-of-CdTe-crystals-on-electrical-and/10.1117/12.2529965.short
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Depletion region in Cr/CdTe/Au Schottky diode X- and γ-ray detectors, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 66, Issue 9 (Sep. 2019) 2140-2144. (DOI: 10.1109/TNS.2019.2935836) https://ieeexplore.ieee.org/document/8804236
V. Sklyarchuk, P. Fochuk, S. Solodin, Z. Zakharuk, A. Rarenko et al. Mechanisms contributing to dark current across metal/CdMnTe/metal structures / Proc. SPIE 11114, Hard X-ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXI, 11114V (9 Sept.2019) doi:10.1117/12.2530444. https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/11114/111141V/Mechanisms-contributing-to-dark-current-across-metalCdMnTemetal-structures/10.1117/12.2530444.short
V.M. Sklyarchuk, Z.I. Zakharuk, M.H. Kolisnyk, А.I. Rarenko, O.F. Sklyarchuk, P.M. Fochuk. Effect of Compensation Degree on the Detecting Properties of In-doped Cd0.9Zn0.1Te crystals, PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLID STATE, V. 20, № 3 (2019) P. 257-263 (DOI: 10.15330/pcss.20.3.257-263) http://journals.pu.if.ua/index.php/pcss/article/view/3888/4092
V. Gnatyuk, V. Sklyarchuk, T. Aoki, A Koike, W. Pecharapa, Development of CdTe-based nuclear radiation sensors and related devices, AIP Conference Proceedings, Vol. 2010, Issue 1, (Sep. 2018) 020012-1-5. (DOI: 10.1063/1.5053188). https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.5053188
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, P.M. Fochuk P. Aoki, Effect of the concentration of impurities, determining the space charge region thickness on detection properties of Cr/CdTe/Au Schottky-diode detectors, Proceedings of SPIE, Vol. 11494, Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXII, (Aug. 2020) 1149419-1-9. DOI: 10.1117/12.2568235
Sklyarchuk V., Zakharuk Z., Solodin S., Rarenko A., Sklyarchuk O., Fochuk P., Bolotnikov A., James R. Effect of the electric field strength on the energy resolution of Cr/CdTe/Pt detectors (2020) IEEE Transactions on Nuclear Science. DOI: 10.1109/TNS.2020.3026259 https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85091681448&doi=10.1109%2fTNS.2020.3026259&partnerID=40&md5=621daff6075f2cabec464439b8502535
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Effect of CdTe crystal thickness on the efficiency of Cr/CdTe/Au Schottky-diode detectors, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, Vol. 953 (Feb. 2020) 163224-1-5. DOI: 10.1016/j.nima.2019.163224https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/2020NIMPA.95363224S/abstract
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, V. Pylypko, T. Aoki, Schottky diode detectors with low leakage current at high operating voltage, in: A.R. Varkonyi-Koczy (ed.) Engineering for Sustainable Future. Inter-Academia 2019. Lecture Notes in Networks and Systems, Vol. 101 (2020) 159-167, Cham: Springer. DOI: 10.1007/978-3-030-36841-8_16 https://www.springerprofessional.de/en/schottky-diode-detectors-with-low-leakage-current-at-high-operat/17562630
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, P.M. Fochuk T. Aoki, Effect of the concentration of impurities, determining the space charge region thickness on detection properties of Cr/CdTe/Au Schottky-diode detectors, Proceedings of SPIE, Vol. 11494, Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXII, (Aug. 2020) 1149419-1-9. DOI: 10.1117/12.2568235 https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/11494/1149419/Effect-of-the-concentration-of-impurities-determining-the-space-charge/10.1117/12.2568235.full?SSO=1
Sklyarchuk V., Zakharuk Z., Solodin S., Rarenko A., Sklyarchuk O., Fochuk P., Bolotnikov A., James R. Effect of the electric field strength on the energy resolution of Cr/CdTe/Pt detectors (2020) IEEE Transactions on Nuclear Science. DOI: 10.1109/TNS.2020.3026259 https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85091681448&doi=10.1109%2fTNS.2020.3026259&partnerID=40&md5=621daff6075f2cabec464439b8502535
Ivanitska, V.G., Dzyubinska, N.S., Bab'yuk, Yu.V., Sklyarchuk, V.M., Fochuk, P.M. Chemical modification of Cd0.9Zn0.1Te surface Voprosy Khimii i Khimicheskoi Tekhnologii, 2020, 2020(3), р. 77-87 http://vhht.dp.ua/wp-content/uploads/pdf/2020/3/Ivanitska.pdf
V. Skliarchuk, P. Fochuk, A. Bolotnikov, R. B. James, "Radiation resistance of near-infrared photodiodes based on Hg3In2Te6," Proc. SPIE 11838, Hard XRay, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXIII, 118381B (1 September 2021); doi: 10.1117/12.2595844.
Sklyarchuk, P. Fochuk, A. Bolotnikov, R. B. James, Z. Zakharuk, "High radiation resistant crystals for x-ray and γ-radiation detectors," Proc. SPIE 11838, Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXIII, 1183817 (1 September 2021); doi: 10.1117/12.2594082.
V.M. Sklyarchuk, V.A. Gnatyuk, T. Aoki, Features of dark electrical conductivity of semi-insulating p-CdTe single crystals, Proceedings of SPIE, Vol. 11838, Hard X-Ray, Gamma-Ray, and Neutron Detector Physics XXIII, (Sep. 2021) 1183818-1-7. DOI: 10.1117/12.2594318/
Наукові ідентифікатори: