Patent

36. "2차원물질 분산액 제조방법 및 이를 이용한 대면적 반도체소자 제조방법" (등록)

강주훈; 김지현

등록번호: 10-2680442  (2024-06-27)

35. "용액공정을 통한 대면적 고성능 반도체소자 제조방법" (등록)

강주훈; 김지현

등록번호: 10-2663018  (2024-04-29)

34. "광가교를 이용한 광 패터닝 방법을 적용한 이종 접합 반도체 소자 제조 방법 및 이를 통해 제조된 이종 접합 반도체 소자" 

강주훈; 조정호; 김지현; 곽인철; 김형진

출원번호: 10-2024-0050500  (2024-04-16)

33. "이리듐 나노구조체가 균일하게 형성된 대면적 필름 제조 방법" 

강주훈; 엄정하; 조윤성

출원번호: 10-2024-0038706  (2024-03-20)

32. “Anhydrous liquid-phase exfoliation of pristine electrochemically-active GeS nanosheets” (등록)

Hersam, M.C.; Kang, J.; Chen, K.-S.; Lam, D.

U.S. Patent Number: 11,916,234B2 (2024-02-27)

31. "인터페이스 반도체 기반 트랜지스터 및 이의 제조방법" 

강주훈; 김지현

출원번호: 10-2024-0021775 (2024-02-15)

30. "나노 다공성 그래핀 멤브레인을 포함하는 나노 촉매 필름 제조방법 및 이를 포함하는 나노 촉매 전극 제조방법" (등록)

강주훈; 조윤성

등록번호: 10-2582005 (2023-09-19)

29. "다진법 연산을 위한 이종 반도체 접합 전자소자 및 제조방법" (등록)

강주훈; 조정호

등록번호: 10-2554466 (2023-07-06)

28. "다진법 연산을 위한 준-이종 반도체 접합 및 이의 제조방법" (등록)

강주훈; 김지현; 정명진

등록번호: 10-2545055 (2023-06-14)

27. "대면적 고성능 2차원 반도체소자 구현을 위한 이온주입 유전막 형성 방법"

강주훈; 조정호; 김지현; 권용현

출원번호: 10-2023-0077246 (2023-06-16)

26. “Optoelectronically-Active Two-Dimensional Indium Selenide via Surfactant-Free Co-Solvent Processing” (등록)

Hersam, M.C.; Kang, J.

U.S. Patent Number: 11,629,053 B2 (Apr. 18, 2023)

25. "나노선 어레이 제조방법 및 이를 이용한 광검출 소자" (등록)

강주훈; 조정호

등록번호: 10-2491896 (2023-01-19)

24. "2차원 반도체 물질 복합체 및 이의 제조 방법" (등록)

강주훈; 김지현

등록번호: 10-2485616 (2023-01-03)

23. "이차원 물질을 포함하는 대면적 신축성 반도체 계층 구조체 및 이의 제조방법"

강주훈; 이동준

출원번호: 10-2022-0143516 (2022-11-01)

22. "극저주파 차폐용 금속 복합 필름 제조 방법 및 이에 의해 제조된 극저주파 차폐용 금속 복합필름"

최무성; 강주훈; 소준영; 노태무; 조윤성

출원번호:  10-2022-0131611 (2022-10-13)

21. "금속 나노플라워 촉매가 균일하게 형성된 대면적 반도체 기판 및 이의 제조방법"

강주훈; 조윤성

출원번호: 10-2022-0080290 (2022-06-30)

20. "2차원 나노소재 잉크 제조 및 잉크젯 프린팅을 통한 반도체 소자 구현"

강주훈; 송옥인

출원번호: 10-2022-0074136 (2022-06-17)

19. "대면적 고유전율 유전막 형성을 위한 이황화 하프늄 (HfS2) 분산액 제조방법"

강주훈; 김지현

출원번호: 10-2021-0183419 (2021-12-21)

18. "용액공정을 통한 대면적 고성능 반도체소자 제조방법"

강주훈; 김지현

출원번호: 10-2021-0162737 (2021-11-23)

17. "다진법 연산을 위한 준-이종 반도체 접합 전자소자 및 이의 제조방법"

강주훈; 김지현; 정명진

출원번호: 10-2021-0149797 (2021-11-03)

16. "나노 다공성 그래핀 멤브레인을 포함하는 나노 촉매 필름 제조방법 및 이를 포함하는 나노 촉매 전극 제조방법"

강주훈; 조윤성

출원번호: 10-2021-0126301 (2021-09-24)

15. "나노선 어레이 제조방법 및 이를 이용한 광검출 소자"

강주훈; 조정호

출원번호: 10-2021-0086639 (2021-07-01)

14. "다진법 연산을 위한 이종 반도체 접합 전자소자 및 제조방법"

강주훈; 조정호

출원번호: 10-2021-0086638 (2021-07-01)

13. "화학적 용접을 통한 고성능 광대역 광검출 소자 구현"

강주훈; 김지현

출원번호: 10-2021-0002616 (2021-01-08)

12. “Composition Comprising Optically and Electronically Active Phosphorene” (등록)

Hersam, M.C.; Kang, J.; Wood. J.D.

U.S. Patent Number: US10906811B2 (Feb. 2, 2021)

11. “Hybrid Silicon Lasers and Amplifiers with 2D Phosphorene Film” (등록)

Husko, C.; Guest, J.; Hersam, M.C.; Kang, J.; Wood, J.D.; Checoury, X.

U.S. Patent Number: US10374385B2 (Aug. 6, 2019)

10. “Germanium Sulfide Nanosheet-Based Lithium-Ion Battery Anode”

Hersam, M.C.; Kang, J.; Chen, K.-S.; Lam, D.

U.S. Patent Application Number: 62-575067 (Oct. 20, 2017)

PCT Application Number: PCTUS2018056296 (Oct. 17, 2018)

9. “Optoelectronically-Active Two-Dimensional Indium Selenide via Surfactant-Free Co-Solvent Processing”

Hersam, M.C.; Kang, J.

U.S. Patent Application Number: 62-604274 (Jun. 29, 2017)

PCT Application Number: PCTUS2018040083 (Jun. 28, 2018)

8. “Stable Aqueous Dispersions of Optically and Electronically Active Phosphorene” (등록)

Hersam, M.C.; Kang, J.; Wood. J.D.

U.S. Patent Number: US10343909B2 (Jul. 9, 2019)

7. “Layer-by-Layer Sorting of Rhenium Disulfide via High-Density Isopycnic Density Gradient Ultracentrifugation” (등록)

Hersam, M.C.; Kang, J.

U.S. Patent Number: US10702803B2 (Jul. 7, 2020)

6. “Isolation of Phosphorene and Related Ambient-Reactive Nanomaterials in Aqueous Solution”

Hersam, M.C.; Kang, J.; Wood. J.D.

U.S. Patent Application Number: 62-389537 (Mar. 1, 2016)

5. “Sorting Two-Dimensional Nanomaterials by Thickness” (등록)

Hersam, M.C.; Kang, J.; Seo, J.-W.T.; Green, A.A.

U.S. Patent Number: US20150283482 (Oct. 8, 2015)

4. “Preparation Method of Manufacturing Thermoelectric Nanowires Having Core/Shell Structure”

Lee, W.; Kang, J.; Roh, J.W.; Shim, W.

U.S. Patent Number: US20140342488 (Nov. 20, 2014)

3. “Method for Fabricating Thermoelectricity Nanowire Having Interface Roughness Controllable Core/Shell Structure”

Lee, W.; Kang, J.; Roh, J.W; Shim. W.

Korea Patent Number: 10-1303859 (Aug. 29, 2013)

PCT Number: KR2012/002566 (Apr. 5, 2012)

2. “Method for Manufacturing Multi-Block Heterostructure Thermoelectric Nanowire, and Thermoelectric Nanowire Thereof”

Lee, W.; Kang, J.; Ham, J.

Korea Patent Number: 10-1151644 (May 24, 2012)

PCT Number: KR2012/009461 (Dec. 29, 2010)

1. “Core/Shell Structure Nanowire Fabrication Method for Thermoelectricity”

Lee, W.; Kang, J.; Ham, J.; Kim, E.

Korea Patent Number: 10-1047610 (Jul. 1, 2011)