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[1] GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析, 草場彰, 李冠辰, マイケル・ヴォン・スパコフスキー, 寒川義裕, 柿本浩一, 第46回結晶成長国内会議 2017年11月28日. [学生ポスター賞]

[2] Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics, Akira Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Materials 10, 948 (2017).

[3] CH4 Adsorption Probability on GaN(0001) and (000-1) during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Relationship to Carbon Contamination in the Films, Akira Kusaba, Guanchen Li, Pawel Kempisty, Michael R. von Spakovsky, Yoshihiro Kangawa, Materials 12, 972 (2019).

[4] 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究, 草場 彰, 九州大学学位論文 (2019).

[5] 日本結晶成長学会第19回奨励賞, 非平衡量子熱力学によるGaN気相成長プロセスの解明, 草場 彰, 2021年10月.