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[1] InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析, 草場彰, 寒川義裕, 柿本浩一, 第7回窒化物半導体結晶成長講演会 2015年5月8日. [発表奨励賞]

[2] Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski, Koishi Kakimoto, 5th European Conference on Crystal Growth (ECCG-5) 2015年9月9日. [Poster Prize of Italian Association of Crystallography]

[3] III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕, 日本結晶成長学会誌 45, 45-1-03 (2018).

[4] 窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究, 草場 彰, 九州大学学位論文 (2019).