I Taller Argentino
de Espectrometría de Masas de Iones Secundarios
6-9 Mayo 2025, S. C. de Bariloche, Argentina
6-9 Mayo 2025, S. C. de Bariloche, Argentina
Título: Topografía de sensores CMOS comerciales
Describa el problema científico que busca resolver:
Investigamos el uso de sensores comerciales CMOS para obtener radiografías de muestras de madera para estudios de dendrocronología y densitometría de coníferas patagónicas. Para modelar e interpretar correctamente la respuesta del sensor, es necesario conocer la topografía del sensor (esto es, dimensiones, ubicación y composición de contactos eléctricos, volumen activo, capas aislantes, etc.). La muestra a analizar es mayormente un sustrato de silicio de 10 mm x 10 mm x 1-2 mm cubierto con un arreglo de microlentes orgánicas. Caracterizaciones previas con la técnica de Focused Ion Beam - Scanning Electron Microscopy (FIB-SEM) permitieron determinar que el espesor del volumen activo es de 3.7 um y que el espesor del arreglo de microlentes es de 1.3 um, como así también localizar la ubicación de los contactos eléctricos. Con esta caracterización previa no se pudo detectar la capa de borofosfosilicato (BPSG) cuya ubicación es esencial conocer para modelar correctamente la respuesta del sensor CMOS.
Describa qué tipo de información espera obtener con la técnica de TOF-SIMS:
Se espera ganar mayor conocimiento sobre la topografía del sensor, obteniendo la distribución espacial de elementos de interés (B, P, Si, Al, Cu).
Explique qué ventajas cree que podría ofrecer la técnica de TOF-SIMS para resolver el problema científico descrito más arriba:
La ventaja que ofrece la técnica de TOF-SIMS, además de su alta resolución espacial y en profundidad, es que permitiría detectar elementos livianos como boro, el cual no puede ser detectado por otras técnicas como EDS-SEM.