III-V 高電子遷移率場效電晶體之製程，並探討出較佳之元件特性，以液相沉積法以液相成長三氧化二鋁薄膜以及閘極掘入技術完成增強型高電子遷移率電晶體，目前主要研究方向為MOS HEMT、NC-HEMT 等不同結構之改善元件特性。