"Estudo da interação da umidade com filmes finos de ZnO preparados pela técnica de spray pirólise"

Autores: Mayk Rodrigues do Nascimento, Douglas Henrique Vieira, Neri Alves.

Instituições: FCT - UNESP.

Autor apresentador: Mayk Rodrigues do Nascimento.

Resumo: O óxido de zinco (ZnO) é um semicondutor que possui larga banda proibida, aproximadamente 3,4 eV, que corresponde ao espectro do UVA. Trata-se de um semicondutor em que ocorre a interação com atmosfera, a qual é dominada por adsorção e dessorção de oxigênio, umidade e outras moléculas em sua superfície. Devido a esta característica, em medidas elétricas sob radiação ultravioleta, a variação da umidade do ambiente pode resultar em uma elevada variabilidade na resposta elétrica do filme. Isto porque as moléculas de água podem se adsorver na superfície e atuar como armadilha para os elétrons livres. Quando se interessa pela estabilidade de um dispositivo, essas variações na resposta em função da variação da umidade ambiente são indesejáveis, mas por outro lado, esse comportamento abre a possibilidade de usar o ZnO como sensor de umidade. Nesse trabalho, foi preparado um sensor de umidade fotorresitivo, a base de ZnO que foi submetido a medidas elétricas em corrente constante em função do tempo. Essas medidas foram realizadas variando a umidade da amostra, sob incidência de radiação ultravioleta e no escuro. Observa-se que os filmes de ZnO responde linearmente a umidade quando sob radiação. Também, foi possível observar que em ambiente com maior umidade relativa, os filmes de ZnO conseguem recuperar o seu estado inicial de corrente em um tempo muito menor do para umidades menores (ambientes secos).

Link do vídeo: https://youtu.be/9daBERcvvyo

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