"Aplicação de um diodo Schottky impresso à base de ZnO e nanotubos de carbono como sensor UV"

Autores: Luis Henrique Tigre Bertoldo, Gabriel Leonardo Nogueira, Douglas Henrique Vieira e Neri Alves.

Instituições: Universidade Estadual Paulista (UNESP) - Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT-UNESP).

Autor apresentador: Luis Henrique Tigre Bertoldo.

Resumo: O ZnO é um semicondutor com largo band gap, de 3,3 eV, na faixa, do UVA, justamente a que corresponde ao espectro eletromagnético considerada como principal causadora de câncer de pele. Por esta razão é um material de grande interesse para aplicação como sensor RUV. Quando o ZnO é depositado sobre uma fina camada de Al ~10 nm forma-se o óxido de zinco dopado com Al (AZO). O AZO é da família dos óxidos condutores transparentes (OCTs) que são conhecidos por possuir transmitância superior a 90% e resistência de folha abaixo de 100 Ω/□. Existem diversas aplicações na eletrônica para o AZO, dentre essas as quais destaca-se a o uso como eletrodo em um diodo de barreira Schottky, tema deste trabalho. Apresenta-se o estudo de um diodo Schottky destacando as seguintes etapas: i) deposição da fina camada de Al; ii) formação do filme de AZO; iii) deposição da camada ativa de ZnO; iv) deposição do eletrodo de nanotubos de carbono de parede múltipla (MWCNT); e v) caracterização DC (I-V). Na primeira etapa foi depositada uma camada fina de Al (~10 nm) em um substrato de vidro. Na sequência depositou o ZnO sob a fina camada de Al aquecido a 450 °C. Ressalta-se que somente durante as primeiras 10 camadas ocorre a formação do AZO in situ, mas continua-se depositando mais 20 camadas da solução para formar o filme de ZnO sobre o de AZO. Finalizando a preparação do dispositivo depositou-se 8 camadas de MWCNT como eletrodo de topo formando barreira Schottky com ZnO pela técnica de spray coating. A caracterização DC no escuro e sob a incidência de RUV foi realizada pela curva de corrente versus tensão (I-V). Os parâmetros extraídos para análise do desempenho do diodo foi a resistência em série (Rs), fator de idealidade (n) e altura da barreira (ϕ) calculada pelo método de Cheung e razão de retificação (RR). Em suma o AZO foi aplicado com sucesso como eletrodo impresso e transparente em um diodo Schottky.

Link do vídeo: https://youtu.be/V3EvXeBgFpo

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