"Dispositivo de memória ITO/MEH-PPV/Al: A forte influência do ar ambiente"

Autores: Guilherme S. Mendes de Araújo, Maria Letícia Vega, Cleânio da Luz Lima, Angel Alberto Hidalgo, Helder Nunes da Cunha, Alexandre de Castro Maciel.

Instituições: Universidade Federal do Piauí - UFPI.

Autor apresentador: Guilherme Severino Mendes de Araújo.

Resumo: Nos recentes anos o uso de dispositivos orgânicos biestáveis em memória vem sendo intensamente pesquisados devido a sua capacidade de armazenamento de dados, flexibilidade, baixo consumo de energia, baixo custo e fácil processamento. Esses dispositivos podem ser construídos com diferentes arquiteturas. O modelo mais básico é constituído por um filme fino ensanduichado entre dois eletrodos numa estrutura do tipo "Bottom electrode/Organic Layer/top eletrode". Um dos materiais que vem sendo utilizado como camada ativa para estes dispositivos é o polímero MEH-PPV. A forte influência das condições ambientes nas medidas I vs. V é uma característica de materiais contendo o PPV e seus derivados, isso o coloca num rol restrito de materiais para a construção de dispositivos de memória e/ou sensores de gás e PLEDs. Neste trabalho estudamos a influência do ar ambiente nas curvas I vs. V dos dispositivos ITO/MEH-PPV/Al e ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al. As curvas I vs. V desses dispositivos são fortemente influenciadas pela atmosfera nos quais eles são medidos, se comportando como um sensor. O efeito de memória foi induzido pelo ambiente e a aplicação campo elétrico no dispositivo ao invés da aplicação do campo elétrico, somente. A inserção da camada de PEDOT:PSS entre o ITO e o MEH-PPV inicia uma regra para a construção desses dispositivos sem NDR e uma profunda redução no tempo de resposta para o sensor.

Link do vídeo: https://youtu.be/EGoEPaVgWQM

Link da sala do Meet: https://meet.google.com/vey-ijmn-dib