"Efeitos das polarizações direta e reversa na capacitância da junção ITO/Semicondutor Orgânico/Metal"

Autores: Lanna Isabely Morais Sinimbu, João Mariz Guimarães Neto, Angel Alberto Hidalgo.

Instituições: Universidade Federal do Piauí - UFPI.

Autor apresentador: Lanna Isabely Morais Sinimbu.

Resumo: Dispositivos orgânicos apresentam grande potencial para aplicação em sistemas fotovoltaicos, diodos emissores de luz e fotodectores. Estruturas orgânicas permitem combinar a versatilidade da estrutura química dos materiais orgânicas entre si. Para a deposição de matérias orgânicos é utilizado na maioria das vezes a técnica de spin-caosting , por ter baixo custo e de ser de fácil operação. Neste trabalho, foram estudados o diodo manufaturado com o semicondutor do tipo P e um metal sobre a efeitos de polarização direta e reversa de capacitância de junção. No dispositivo utilizamos o poli(3-hexiltiofeno) (P3HT) depositado em substrato contento Oxido de índio titânio (ITO) e com o contato metálico de Alumínio (Al). Os diodos foram caracterizados por medidas de corrente elétrica e capacitância em função da voltagem e apresentaram em concordância com a literatura, que serviram de referência para a análise de dados. Os valores de altura da barreira (ΦB), potencial built-in (V0) e capacitância da amostra (C0), do diodo foram: 1.1 eV , 0.44V e 5.9x10-10 F. Esses resultados , são promissores para a aplicação em fotodectores.

Link do vídeo: https://youtu.be/sSU8yXD6j4M

Link da sala do Meet: https://meet.google.com/onz-oqxq-mme