・生年月日：1980年 7月 23日 

・出身：茨城県 下妻市

・経歴

　　-1996年4月 ~ 1999年3月  茨城県立下妻第一高等学校卒業

　　-2000年4月 ~ 2005年4月  学習院大学 理学部 物理学科卒業

　　-2005年4月 ~ 2007年3月  学習院大学大学院 自然科学研究科 物理学専攻 博士前期課程修了

　　-2007年4月 ~ 2010年3月  大阪大学大学院 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻 博士後期課程修了（工学博士）

　　独立行政法人理化学研究所（ジュニアリサーチアソシエイト）

　　-2010年4月 ~ 2010年8月  独立行政法人理化学研究所 客員研究員

　　-2010年9月 ~ 2011年8月  株式会社生体分子計測研究所

　　-2011年9月 ~ 本橋産業株式会社

　　   -2014年7月 ~ 本橋産業株式会社 専務取締役 

   　　-2016年7月 ~ （現在）同 代表取締役

                                              危険物取扱所・・毒劇物取扱

・研究業績（論文、発表など）

- N. Hayazawa, M. Motohashi, Y. Saito, and S. Kawata,

 "Highly sensitive strain detection in strained silicon by surface enhanced Raman spectroscopy"

Applied Physics Letters, vol. 86, 263114 (2005).

- Y. Saito, M. Motohashi, N. Hayazawa, M. Iyoki, and S. Kawata,

"Nanoscale characterization of strained silicon by tip-enhanced Raman spectroscope in reflection mode"

Applied Physics Letters, vol. 88, 143109 (2006)

(Selected for Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol. 13, Issue 15, (2006))

- N. Hayazawa, Y. Saito, M. Motohashi, M. Iyoki, and S. Kawata,

"Nanoscale characterization of localized strain in crystals by tip-enhanced Raman spectroscope in reflection-mode"

Proceedings of SPIE., vol. 6324, 63240L (2006)

- N. Hayazawa, M. Motohashi, Y. Saito, H. Ishitobi, A. Ono, T. Ichimura, P. Verma, and S. Kawata,

"Visualization of localized strain of a crystalline thin layer at the nanoscale by tip-enhanced Raman spectroscope and microscope"

Journal of Raman Spectroscopy, vol. 38, pp. 684-696 (2007).

- Y. Saito, M. Motohashi, N. Hayazawa, and S. Kawata,

"Stress imaging of semiconductor surface by tip-enhanced Raman spectroscopy"

Journal of Microscopy, vol. 229, pp. 217-222 (2008).

- N. Hayazawa, M. Motohashi, Y. Saito, and S. Kawata,

"Characterization of localized strain of crystals in nano-scale by tip-enhanced Raman spectroscope and microscope"

Proceedings of SPIE., vol. 6769, 67690P (2007)

- A. Ono, K. Masui, Y. Saito, T. Sakata, A. Taguchi, M. Motohashi, T. Ichi mura, H. Ishitobi, A. Tarun, N. Hayazawa, P. Verma, Y. Inouye, and S. Kawata,

"Active control of the oxidization of a silicon cantilever for the characterization of silicon-based semiconductors"

Chemistry Letters, vol. 37, pp. 122-123 (2008).

- M. Motohashi, N. Hayazawa, A. Tarun, and S. Kawata,

"Depolarization effect in reflection-mode TERS for Raman active crystals"

Journal of Applied Physics, vol. 103, 034309 (2008).

- A. Tarun, N. Hayazawa, M. Motohashi, and S. Kawata,

"Highly efficient tip-enhanced Raman spectroscopy and microscopy of strained silicon in nanoscale"

Review of Scientific Instruments, vol. 79, 013706 (2008).

-O. Moutanabbir, M. Reiche, A. Hahnel, W. Erfuth, U. Gosele, M. Motohashi, A. Tarun. N. Hayazawa and S. Kawata,

"Nanoscale pattering induced strain redistribution in ultrathin strained Si layers on oxide"

 Nanotechnology 21, 134013 (2010).

-O. Moutanabbir, M. Reiche, A. Hähnel, W. Erfurth, M. Motohashi, A. Tarun, N. Hayazawa, and S. Kawata,

 "UV-Raman imaging of the in-plane strain in single ultrathin strained silicon-on-insulator patterned structure"

 Applied Physics Letter 96, 233105 (2010).

- 本橋正史, 齊藤結花, 早澤紀彦, 河田聡,

"反射型チップ増強近接場ラマン分光による歪みシリコンのナノスケール測定"

春季第53回応用物理学会学術講演会 (東京都, 2006年3月26日). 

- 本橋正史, 早澤紀彦, 齊藤結花, 河田聡,

"偏光制御反射型近接場ラマン分光による結晶歪み高感度イメージング"

春季第54回応用物理学会学術講演会 (神奈川県, 2007年3月28日)

- M. Motohashi, N. Hayazawa, Y. Saito, S. Kawata,

"Characterization of local strain in strained Si by tip-enhanced Raman Spectroscope in reflection Mode"

4th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED VIBRATIONAL SPECTROSCOPY (Corfu, Greece, June 13, 2007). 

- 本橋正史, 早澤紀彦, A. Tarun, 河田聡,

"偏光解消効果を用いた反射型TERSによる結晶の局所歪み評価"

平成19年度顕微分光部会シンポジウム (東京都, 2007年10月26日). 

- 本橋正史, 早澤紀彦, A. Tarun, 河田聡,

"High contrast Nano imaging of crystalline silicon by TERS based on depolarization detection,"

平成19年度日本分光学会年次講演会 (東京都, 2007年11月13日).

                           ・mail: m.motohashi_at_motohashi-sangyo.jp

                                 「_at_」を@に替えて送信願います．