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Semiconductor Process and Two-dimensional material element laboratory

 I.半導體實驗室是屬於工學院半導體中心的教學實驗室,提供工學院中432中心的學生做半導體實驗、半導體量測的研究,實驗室的研究目標為研發生醫感測元件(Bio-sensor and Bio-tech );非揮發性記憶體元件(NVM)Nanocrystal memoryRRAM以及前瞻性奈米元件(Advanced Nano Device) Graphene device,同時訓練學生擁有能獨立製作MOSFET的能力。

 

     

II.半導體實驗室擁有齊全的研究設備:黃光室、RFurnace & RTA systemLithography systemSputter and Thermal EvaporationPECVD systemRIE system,並引進原子層沉積(ALD)系統,可於低溫、粗略真空環境下,進行高階梯覆蓋率 (100%)、高厚度均勻性 (< 1% 厚度變化,4 inch 晶圓) 及原子級薄膜厚度控制成長 (0.1 nm)。實驗室具備奈米結構原子級薄膜製程的技術。

III.製作生醫感測元件即對離子感測場效電晶體(Ion-Sensitive Field Effect Transistor, ISFET)的研究,實驗室研發出HfO2CF4ISFET2者擁有良好的電性及離子感測特性,能用EIS Structure量測DNAAnti gem/body、細菌和離子等訊號。並結合BiosensorNanocrystal兩種技術,開發出離子感測電晶體Flash-ISFET,具有超能斯特現象,可提升感測能力,該研究結果已發表於IEDM 2009

IV.目前實驗室有華亞科技的奈米記憶體技術的支援,對Gd2O3 nanocrystal memory的非晶態Gd2O3熱退火試驗進行了研究,結合能帶工程、電漿處理、穿隧層材料的選取以及加入氟,製作出的金奈米記憶體具有高P/E(Programable/Erase)速度、高重複性的特性。

V.同時實驗室也對Gd2O3的電阻選擇記憶體(RRAM)進行研究,研究結果為透過CF4 plasma達到低電壓操作,高重覆性和高保存能力。