CURSO DE POSGRADO: Nanoestructuras de Semiconductores 

Expositor y Coordinador: Dr. David Comedi

Duración: 64 horas  (18 de Agosto-12 de Diciembre de 2014)

Horarios semanales: A ser consensuado con los alumnos de acuerdo a disponibilidad horaria.

Lugar: Sala de Claustro del Departamento de Física y Sala de Audiovisuales de la FACET, Av. Independencia 1800, San Miguel de Tucumán.

Objetivos:
Impartir conocimientos teóricos y aplicados que permitan al alumno interpretar las propiedades de nanoestructuras de semiconductores y sus aplicaciones en términos de los átomos constituyentes. Dar a conocer al alumno las técnicas más populares de fabricación de nanoestructuras de semiconductores y principios de operación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos selectos basados en las mismas. Introducir las principales cuestiones de actualidad relacionadas con la investigación de nanoestructuras de semiconductores.

Contenido:
1. Fundamentos de la Física de semiconductores (estructura cristalina, teoría de bandas, masa efectiva, defectos, desorden, estados electrónicos extendidos y localizados, excitaciones electrónicas elementales, interacción con la radiación electromagnética, semiconductores de los grupos IV, III-V y II-VI, dopaje e interfaces).
2. Técnicas de fabricación de láminas finas y nanoestructuras de semiconductores (epitaxía, deposición física y química de vapor, técnicas de nanoestructuración de láminas, crecimiento de nanoestructuras, transporte de vapor, mecanismo vapor-líquido-sólido, autoensamblado, técnicas a partir de química húmeda, sinterización).
3. Estructura electrónica y procesos físicos en nanoestructuras de semiconductores (pozo cuántico, confinamiento cuántico, super-red, punto, hilo y capa cuánticos,  estados de superficie e interfaz, cuantización de bandas, formación de minibanda, excitación y mecanismos de recombinación de portadores en sistemas reales). 
4. Dispositivos electrónicos y optoelectrónicos selectos basados en nanoestructuras de semiconductores (emisores de luz, láser, fotodetector, sensores). 
5. Desarrollos actuales, estado de arte y tendencias a futuro en la investigación de las nanoestructuras de semiconductores.

Requisitos para aprobar: 75% de asistencia a las clases, dos prácticos individuales, y examen final.

Requisitos previos: Estudios de Física básica (Mecánica, Termodinámica, Electromagnetismo, Física Cuántica).