本實驗室的研究重點在於應用奈米技術發展尖端新穎的半導體光電元件，其中包括高亮度發光二極體(LED)、新型面射型雷射二極體、高效率太陽能電池等。本實驗室加入半導體雷射實驗室研究群以及跨領域光電科技研究中心，在近年的研究中主要從事氮化鎵(GaN)相關材料與元件方面的研究，研究重心包括：(1) 建立氮化鎵元件之磊晶與製程之技術；(2) 建立理論模型與設計高Q值之微共振腔結構與共振腔量子效應；(3) 製作含有微共振腔與量子侷限結構之藍綠光或紫光發光元件；(4) 研究氮化鎵發光元件之特性。

在氮化鎵雷射元件中，本研究群發展了氮化銦鎵量子井，應用超晶格製作高反射率布拉格反射鏡與氮化鎵量子點之製程技術，成功的製作出光激發與電激發操作之氮化鎵垂直共振腔面射型雷射。此外，本研究群利用氮化銦鎵量子井與高反射率氮化鎵/氮化鋁鎵布拉格反射鏡的結構，用電子束微影的方式製作光子晶體的圖案在氮化銦鎵量子井上，成功的製作出藍光面射型光子晶體雷射，此種雷射具有大面積與高功率發光、單模輸出、垂直發射並具有極小的發散角的優點，可應用到新型的雷射投影光源或具有繞射極限的光儲存應用。在氮化鎵發光二極體的研究中，除了包括薄膜式高亮度氮化鎵藍光發光二極體以及利用表面奈米粗化提升發光亮度等之外，本研究群更踏入無極性(non-polar)氮化鎵材料的研究，以解決目前藍綠光c-plane GaN LED因QCSE發光效率降低的問題。

除了豐富的研究題材外，本實驗室也有著相當多由國科會補助的研發機台輔助進行各式各樣的實驗，磊晶方面有MOCVD，製程上有著ICP、PECVD、RTA及E-gun，量測機台則有著Time-resolved PL、PL、micro-PL、PLE、CL、Probe station、SNOM及SEM等。

我們也將繼續朝向室溫連續操作電激發藍紫外光氮化鎵垂直共振腔面射型雷射的路邁進，而在光子晶體面射型雷射方面，我們將開發出綠光與紅光的光子晶體面射型雷射，在雷射投影，顯示器背光源以及特定用途光源及固態照明等極有潛力！未來，我們將朝向更尖端的研究領域，如室溫單光子光源、室溫下實現玻色愛因斯坦凝聚、利用量子串疊實現室溫Tera-hertz雷射等具前瞻性的方向繼續努力！