Національна академія наук України
 
Інститут фізики напівпровідників
ім.В.Є. Лашкарьова НАН України

ЗАПРОШУЄМО ДО СПІВПРАЦІ !


ЦЕНТР КОЛЕКТИВНОГО КОРИСТУВАННЯ  ПРИЛАДАМИ НАН УКРАЇНИ 
при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ 
„Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем” 
запрошує до співпраці установи НАН України, вищі навчальні заклади, підприємства у проведенні робіт з пріоритетних напрямків фундаментальних досліджень і прикладних розробок. До Ваших послуг чотири сучасних діагностичних лабораторії:

Основні напрямки діяльності: 

  • підтримка державних, регіональних і міжнародних ініціативних проектів і програм наукових колективів; 
  • діагностичний супровід високих технологій і наукоємного виробництва;  
  • науково-методичне забезпечення досліджень студентів, аспірантів і докторантів; 
  • розробка комплексного підходу до вирішення міждисциплінарних задач фундаментальної, прикладної, міжгалузевої науки і промисловості.  

Поточні СЗМ дослідження

  • АСМ дослідження фотоіндукованих деформацій поверхні в реальному часі Реєстрація фотоіндукованих деформацій поверхні в халькогенідних плівках AsxSe100-x в реальному часі за допомогою атомно-силового мікроскопу.Проведено прямі вимірювання кінетики формування поверхневих граток (SRGs) для тонких ...
    Опубліковано·23 вер. 2010 11:35 Diagnostic Center
Відображаються 1 - 1 із 1 записів. Переглянути більше »

Наші останні КРС дослідження

  • Дослідження SiGe наноострівців вирощених на напружених буферних шарах    Мікро-КРС та АСМ дослідження SiGe наноострівців, вирощених на напружених Si1-xGexбуферних шарах
    Опубліковано·8 жовт. 2010 01:00 Oksana Lytvyn
  • Мікро-КРС та АСМ дослідження окремих Si квантових ниток      Виконано субмікронне мікро-КРС топографування окремих Si нанониток, вирощених методом підсиленого золотом хімічного осадження (CVD). В спектрах КРС Si нанониток окрім фононних смуг зумовлених кубічною Si-I кристалічною фазою виявлено ...
    Опубліковано·8 жовт. 2010 01:00 Oksana Lytvyn
  • Дослідження одностінних вуглецевих нанотрубок. Резонансні мікро-КРС дослідження коливних мод одностінних вуглецевих нанотрубок.      В спектрах КРС одностінних вуглецевих нанотрубок в області 200 – 600 см-1 вперше виявлено лінії резонансного КРС, що проявляють ступінчасту дисперсію ...
    Опубліковано·23 вер. 2010 10:39 Diagnostic Center
  • Мікро-КРС дослідження полікристалічних алмазних плівок
    Опубліковано·23 вер. 2010 10:23 Diagnostic Center
Відображаються 1 - 4 із 4 записів. Переглянути більше »

Х-променеві дослідження

  • Дослідження розподілу дифрагованої інтенсивності в оберненому просторі поблизу вузла 113  Для площин дифракції (110) та (1-10) для структури InxGa1-x As/GaAs получені мапи з різним вмістом індію. Виміряні мапи виявляють гострі піки при qx = 0, які позначені ...
    Опубліковано·22 груд. 2010 01:44 zoya Maksimenko
  • Дослідження впливу залишкових дефектів в буфері на НГ Показано, що при рості на AlN - темплейті структури релаксують за рахунок утворення дислокацій, густина яких на порядок більше, ніж для структур, що ростуть на GaN - темплейті.
    Опубліковано·22 груд. 2010 01:59 zoya Maksimenko
Відображаються 1 - 2 із 2 записів. Переглянути більше »


Важливі дати

Sign in  |  Recent Site Activity  |  Terms  |  Report Abuse  |  Print page  |  Powered by Google Sites